UPA2719GR-E2-AT-VB - VBsemi MOS管制造商

UPA2719GR-E2-AT-VB 产品详细

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还在为负压电源开关的导通损耗和占板面积烦恼？VBsemi UPA2719GR-E2-AT-VB 来解忧！这颗 SOP8 封装的单 P 沟道 MOS 管，采用先进 Trench 工艺，在 -30V 耐压下可承载 -11.6A 连续电流，导通内阻低至 11mΩ @ 10V，发热量大幅降低。±20V 宽栅极驱动范围，兼容多种逻辑电平，配合极低的开关损耗，是低压负载开关、电源管理和电池保护应用的“效率担当”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-11.6A		12(mΩ)	11(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-11.6A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-11.6A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P

产品参数
- 耐压等级：-30V（负压应用留足余量，安全可靠）
- 驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 驱动信号）
- 开启门槛：-2.5V（低压逻辑轻松开启，无需复杂驱动电路）
- 超低内阻：11mΩ @ 10V / 12mΩ @ 4.5V（导通损耗极低，温升小）
- 大电流能力：-11.6A（SOP8 封装实现高功率密度）
- 封装：SOP8（适合高密度贴装，散热性能优良）
- 工艺：Trench（开关速度快，FOM 优异）

领域和模块应用：

领域和模块应用 —— 六大典型场景，一颗搞定
- 负载开关：手持设备、外设电源管理，通断损耗低，延长电池续航
- 电池保护：电动工具、储能电池组，快速切断过放电流，守护电芯安全
- 电源路径管理：双电源切换、防倒灌电路，低内阻降低压降
- DC-DC 转换：降压/升降压拓扑中的 P 沟道开关，简化驱动，提升效率
- 电机驱动：小型直流电机、风扇反转控制，P 沟道高边驱动更直接
- 车载辅助电路：车身控制器、信息娱乐系统，宽温域稳定工作UPA2719GR-E2-AT-VB —— 低内阻、大电流、易驱动，让您的 P 沟道电源设计更省心、更高效！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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