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DMT35M4LSSQ-13-VB 产品详细

产品简介:

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DMT35M4LSSQ-13-VB 是一款为低压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性,SOP8 封装在散热能力与占板面积之间取得良好平衡。30V 耐压、15A 载流能力、5.5mΩ 超低导通电阻的组合,使其成为高密度电源模块与电池保护方案的理想选择,尤其适合需要大电流吞吐和高效散热的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.79V 15A 7(mΩ) 5.5(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.79V 15A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.79V 15A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=30V:适配 5V/12V/24V 系统,留足尖峰电压裕量,降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容 1.8V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC,省去电平转换电路。
Vth=1.79V(典型):低压驱动时仍能进入充分导通区,适合电池供电及低压逻辑驱动场景。
RDS(on)=5.5mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载温升大幅降低,可有效减少散热铜箔面积。
RDS(on)=7mΩ @ VGS=4.5V:低压驱动下依然保持低导通电阻,适用于 5V 逻辑直接驱动。
ID=15A:连续电流余量充裕,可满足多数电机、电源及车载辅助负载的峰值需求。
封装 SOP8:热阻低、寄生参数小,支持高频开关,同时兼顾功率密度与生产良率,利于批量制造。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
便携式设备电源管理:低内阻提升升压/降压效率,延长续航,SOP8 封装兼顾散热与厚度。
电池保护模块:大电流承载能力与快速响应特性确保过流/短路时可靠关断,低内阻减少保护板自发热。
低压电机驱动:PWM 开关损耗低,电机运转更平滑,控制器温升明显下降,适合电动工具及风扇驱动。
消费电子控制模块:逻辑电平直驱简化外围,适合智能插座、USB 快充开关等大批量低成本产品。
DC-DC 转换器:同步整流中替代肖特基,重载效率可提升 2~3%,利于模块小型化和高功率密度设计。
车载辅助电源:30V 耐压余量和 15A 电流能力适配 12V 车载总线,可靠应对启动冲击与感性负载尖峰。
LED 照明驱动:低导通压降减少恒流源功耗,支持多路并联,提升整灯光效与可靠性。选型总结:DMT35M4LSSQ-13-VB 在导通电阻、电流能力和封装热性能之间实现出色均衡,是 30V 低压大电流开关类应用的高性价比通用选择,特别适合对效率、温升和功率密度有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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