ISC012N04LM6ATMA1-VB 是一款采用 DFN8（5×6）紧凑封装的 N 沟道功率 MOSFET，基于先进的 Trench 沟槽技术 制造。该器件在 40V 的漏源电压下实现了极低的导通电阻（典型值 0.8mΩ @ VGS=10V），并支持高达 180A 的连续漏极电流，使其成为高电流、低损耗功率系统的理想选择。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）和优异的抗浪涌能力，能够满足汽车级及工业级应用的严苛要求。无论是用于电池保护、同步整流还是电机驱动，ISC012N04LM6ATMA1-VB 都能在有限 PCB 空间内提供卓越的功率密度与热性能。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | 1.2mΩ | 0.8mΩ | Trench |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
| VB Package | Polarity | Vz / VR | Pd | VF | IF | IR | Cd | Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N |
详细参数说明：
- **封装类型**：DFN8 (5x6)
- **配置**：单极 N 通道
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅极源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V：1.2mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V：0.8mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：180A
- **技术**：Trench 技术
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **电流承载能力**：支持最大 180A 的电流，适合高负载应用。
典型应用领域
汽车电子：电动助力转向（EPS）、电池切断开关、车载 DC-DC 转换器
电源管理系统：服务器与通信电源、高功率密度充电器、负载点电源（POL）
电池保护：多串锂电池保护板（BMS）、电动工具、便携式储能电源
工业控制：无人机/AGV 驱动、步进电机驱动器、电动叉车控制器
推荐应用模块
同步整流模块（低压大电流 DC-DC 变换器）
高侧/低侧电池保护开关模块（放电过流保护）
H 桥或三相电机驱动功率级模块（无刷直流电机）
热插拔与电子保险丝模块（服务器背板保护）
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