IPC100N04S5-1R2-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用紧凑型 DFN8（5×6）封装，专为高电流、低损耗的功率转换应用设计。基于先进的 Trench 沟槽技术，该器件在 40V 的漏源电压下实现了行业领先的导通电阻（典型值仅 0.8mΩ @ VGS=10V），并支持高达 180A 的连续漏极电流。其优异的热性能和低开关损耗特性，使其成为高功率密度系统中理想的功率开关解决方案，广泛应用于汽车电子、服务器电源、电池保护及工业电机驱动等领域。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | 1.2mΩ | 0.8mΩ | Trench |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 3V | 180A | Trench |
| VB Package | Polarity | Vz / VR | Pd | VF | IF | IR | Cd | Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N |
详细参数说明：
- **封装类型**：DFN8 (5x6)
- **配置**：单极 N 通道
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅极源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V：1.2mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 10V：0.8mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：180A
- **技术**：Trench 技术
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **电流承载能力**：支持最大 180A 的电流，适合高负载应用。
典型应用领域：
汽车电子：直流有刷/无刷电机驱动、EPS 电动助力转向、电池切断开关、DC-DC 转换器
电源管理：服务器与通信电源、高功率密度 VRM、负载点（POL）模块
电池保护：锂电保护板（BMS）、电动工具、便携式储能电源
工业控制：步进电机驱动、电动叉车、AGV 机器人驱动板
适配模块示例：
同步整流模块（低侧/高侧）
高电流低压 DC-DC 降压模块
电池放电保护开关模块
电机驱动 H 桥或三相全桥功率级
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