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CSD18510Q5BT-VB 产品详细

产品简介:

CSD18510Q5BT-VB 是一款基于 Trench 技术的高性能单极 N 通道功率 MOSFET,采用 DFN8 (5x6) 紧凑封装。该器件在 40V 漏源电压等级下实现了业界领先的导通电阻(典型值 0.8mΩ @ VGS=10V),并支持高达 180A 的连续漏极电流,完美兼顾低损耗与高载流能力。其 ±20V 的栅源电压耐受范围和 -55°C 至 150°C 的宽温工作能力,确保了在电源转换、电池保护及电机驱动等大电流场景下的可靠运行。CSD18510Q5BT-VB 是替代传统 D²PAK 方案、提升功率密度的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 180A 1.2mΩ 0.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N

详细参数说明:

- **封装类型**:DFN8 (5x6)
- **配置**:单极 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅极源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:

- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:1.2mΩ

- RDS(ON) @ VGS = 10V:0.8mΩ

- **最大漏极电流(ID)**:180A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **电流承载能力**:支持最大 180A 的电流,适合高负载应用。


领域和模块应用:


CSD18510Q5BT-VB 凭借超低导通电阻和 180A 高电流能力,广泛应用于以下领域:

同步整流:用于高功率密度 AC-DC 电源、服务器电源模块及通信整流器,显著降低次级侧整流损耗,提升整机能效。
       
电池管理系统(BMS):适用于电动工具、电动自行车、便携储能及无人机电池保护板,实现低阻抗放电开关和充电控制。
       
负载开关与热插拔:在数据中心、工业控制及网络设备中作为大电流热插拔开关或配电开关,支持安全的带电插拔操作。
       
电机驱动:用于 12V/24V 直流无刷电机驱动模块,如汽车电子水泵、散热风扇、电动窗户及小型机器人驱动。
       
电源转换模块:应用于 DC-DC 转换器、负载点电源(POL)及电压调节模块(VRM),满足高瞬态电流需求并降低温升。       

该器件以 DFN8 (5x6) 小封装提供接近分立式 TO-220 级别的载流能力,是空间受限、高功率应用的优选解决方案。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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