IPP020N08N5-VB 是 VBsemi 推出的采用 SGT(屏蔽栅沟槽)技术的高性能 N 沟道功率MOSFET。该器件采用 TO-220 封装,具备极低的导通电阻(2mΩ @ VGS=10V)和高达 340A 的漏极电流能力,同时耐压达到 100V。其优异的导通特性与低开关损耗使其适用于高功率、高效率要求的电源转换系统。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | 2(mΩ) | SGT |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | SGT |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | SGT |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 3V | 340A | SGT |
| VB Package | Polarity | Vz / VR | Pd | VF | IF | IR | Cd | Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N |
1. **封装类型**:TO220
2. **配置**:单 N 通道
3. **最大漏极-源极电压 (VDS)**:100V
4. **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
5. **栅极阈值电压 (Vth)**:3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**:340A
8. **技术**:SGT 技术
领域应用
轻型车辆领域:适用于电动叉车、AGV 小车、共享电单车、观光车等低压大功率车辆驱动系统,大电流低内阻特性提升动力与续航。
移动储能领域:用于户外大功率储能电源、车载应急储能、工程备用电源,在大电流放电回路中保持高效率与低温升。
工业物流领域:适配物流分拣设备、自动导引车、仓储机器人驱动系统,具备高可靠性与抗干扰能力。
通用工控领域:用于大功率直流电源、自动化设备控制单元、低压变频装置,满足大电流、高可靠的工业应用环境。
模块应用
车辆电机驱动模块:用于电动叉车行走电机、AGV 驱动电机控制,支持大电流持续输出,提升车辆动力性能与控制精度。
储能放电模块:应用于户外电源逆变前级、大功率电池放电回路,降低能量损耗,提升设备持续带载能力。
直流配电模块:用于车辆电池主回路通断、工业直流配电控制,实现安全、快速、低损耗的大电流切换。
升压变换模块:用于锂电池组升压、车载电源升压模块,适配 100V 系统电压,提高电压输出范围与转换效率。
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