在轨道交通飞速发展的时代脉络中，辅助电源模块如同系统的“生命线”，其稳定与可靠直接关乎列车运行的安全与舒适。面对严苛的电气环境、持续的振动冲击以及对空间与能效的双重挑战，传统功率器件往往力不从心。微碧半导体（VBSEMI）聚焦于此，凭借成熟的平面工艺技术，匠心推出VBJ165R04专用Planar MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为轨道交通辅助电源稳健运行而打造的“耐久核心”。
行业之痛：高压环境与长期可靠性的严峻考验
在辅助电源模块中，主功率开关器件肩负高压转换与隔离重任，工程师面临的核心挑战在于：
高压平台下，需平衡击穿电压与导通损耗，确保系统安全裕度。
在有限空间内，必须实现优异的散热与长期可靠性，应对7x24小时不间断运行。
复杂的电磁环境与机械振动，对器件的坚固性与稳定性提出极致要求。
VBJ165R04的问世，正是为了直面这些挑战，提供笃定之选。
VBJ165R04：以稳健性能，定义可靠标尺
微碧半导体深谙轨道交通对可靠性的极致追求，VBJ165R04的每项参数都经精心锤炼，旨在构筑坚不可摧的能量转换屏障：
650V VDS与±30V VGS：为轨道交通辅助电源常见的高压母线提供充足的安全余量，从容应对浪涌与电压波动，是系统安全运行的坚实基础。
优化的导通电阻（RDS(on) @10V:2000mΩ, @4.5V:2500mΩ）：在确保高压耐受能力的同时，实现了良好的导通特性，有效控制导通损耗，助力提升模块整体能效。
4A连续漏极电流（ID）：精准匹配辅助电源模块中等功率等级需求，提供稳定可靠的电流输出能力，保障各类辅助负载的稳定供电。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与行业通用驱动电路无缝兼容，简化驱动设计，提升方案可靠性并加快开发进程。
SOT-223封装：紧凑身形下的高可靠性哲学
采用高可靠性的SOT-223封装，VBJ165R04在有限的占位面积内实现了优异的电气隔离与散热性能。其结构坚固，热阻特性优良，非常适合轨道交通设备对高密度安装和长期振动环境的苛刻要求，为辅助电源模块的小型化与高可靠性设计提供理想支撑。
精准赋能：轨道交通辅助电源模块的可靠之选
VBJ165R04的设计理念，深度契合轨道交通辅助电源的应用精髓：
稳定可靠，保障安全运营：优异的650V耐压和稳健的封装工艺，确保模块在电网波动、频繁启停及长时运行等复杂工况下稳定工作，极大提升系统平均无故障时间（MTBF）。
高效兼容，优化系统设计：平衡的导通特性与标准驱动电压，有助于优化电源拓扑效率，并简化周边电路设计，降低系统综合成本与开发难度。
坚韧耐久，无惧严苛环境：卓越的电气与机械特性，使器件能够耐受轨道交通特有的振动、冲击及宽温工作环境，确保辅助电源全生命周期内的可靠服役。
微碧半导体：以专注，护航轨道征程
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于为关键基础设施提供可靠的核心器件。我们不仅提供产品，更提供基于场景深度理解的技术支持。VBJ165R04的背后，是我们对轨道交通行业需求的精准洞察，以及对“让电力转换更安全、更可靠”承诺的坚实履行。
选择VBJ165R04，您选择的不仅是一颗高性能的Planar MOSFET，更是一位值得托付的长期伙伴。它将成为您辅助电源模块在追求极致可靠性与紧凑设计时的强大助力，共同护航每一段轨道交通的平安畅行。
即刻启程，共筑轨道动力新篇章！
产品型号：VBJ165R04
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：SOT223
配置：单N沟道
核心技术：Planar MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @4.5V）：2500mΩ
导通电阻（RDS(on) @10V）：2000mΩ
连续漏极电流（ID）：4A