在电驱系统迈向高压化、高频化的时代洪流中，每一次能量转换的极致效率，都关乎着动力输出的澎湃与纯净。电机逆变器作为电动汽车与高端工业驱动的“智慧心脏”，其主功率开关的性能直接决定了系统的效能巅峰。然而，传统硅基器件在高压高频下的开关损耗与温升挑战，已成为提升功率密度与系统效率的隐形枷锁。直面这一核心进阶需求，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的宽禁带半导体技术，倾力打造VBP112MC100专用SiC-S MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是驱动电驱系统迈向高效未来的“核心引擎”。
行业进阶之困：效率、频率与热管理的三重博弈
在追求更高功率密度与更优电磁兼容性的电机驱动平台上，工程师面临严峻考验：
追求高压高频高效运行，常受限于器件的开关损耗与反向恢复性能。
渴望提升功率密度，却往往被散热系统的体积与复杂度所束缚。
系统可靠性需在严苛的电气应力与热应力下经受长期考验。
VBP112MC100的诞生，旨在打破博弈，提供决定性解决方案。
VBP112MC100：以SiC硬核性能，重塑电驱能效标尺
微碧半导体精准聚焦电驱逆变器的苛刻要求，为VBP112MC100注入卓越基因，旨在释放高压系统的全部潜能：
1200V VDS与-10 / +22 V VGS：完美适配800V母线及以下高压平台，提供充足的电压裕度，从容应对电机反电动势及开关浪涌，奠定系统稳定基石。
革命性的16mΩ超低导通电阻（RDS(on) @18V）：得益于先进的SiC-S技术，导通损耗大幅降低。相较于同电压等级硅基MOSFET，VBP112MC100可显著降低导通与开关损耗，助力逆变器效率突破性提升，直接延长续航或降低能耗。
100A强大连续电流能力（ID）：确保逆变器在峰值功率输出及过载工况下游刃有余，保障动力输出的持续性与可靠性。
2~4V标准阈值电压（Vth）：与主流栅极驱动器良好兼容，简化驱动设计，保障快速稳定开关，加速产品开发进程。
TO247封装：强大功率的可靠承载
采用经典TO247封装，VBP112MC100在提供优异电气隔离与载流能力的同时，具备卓越的散热效能。其坚固的结构与优化的热传导路径，便于匹配高效散热方案，实现高热流密度下的可靠热管理。这使得采用VBP112MC100的逆变器设计，能够在更紧凑的空间内实现更高的功率输出，为电驱系统的小型化与轻量化提供关键支持。
精准赋能：高压电机逆变器主功率开关的理想之选
VBP112MC100的设计理念，深度契合现代电驱系统的演进方向：
极致高效，提升系统性能：超低RDS(on)与SiC固有的高速开关特性，共同降低系统总损耗，提升逆变器效率与功率密度，直接增强终端产品的续航力或出力水平。
坚固可靠，应对严峻挑战：优异的电压电流能力与SiC材料的高温工作特性，确保器件在复杂工况与恶劣环境下长期稳定运行，提升系统整体寿命与可靠性。
简化设计，优化综合成本：高性能允许采用更高开关频率，从而优化无源元件体积与成本，同时降低散热需求，从器件、磁件、热管理等多维度助力客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，驱动创新
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于通过前沿技术为客户创造价值。我们不仅提供先进的SiC芯片，更提供基于场景应用的深度解决方案。VBP112MC100的背后，承载着我们对电驱行业技术趋势的深刻洞察，以及对“让电能转换更高效、更智能”使命的坚定实践。
选择VBP112MC100，您选择的不仅是一颗领先的SiC-S MOSFET，更是一位赋能电驱创新的战略伙伴。它将成为您的逆变器产品在性能竞赛中制胜的关键，共同驱动绿色交通与工业迈向更高效、更强劲的未来。
即刻行动，携手驶入电驱高效新时代！
产品型号： VBP112MC100
品牌： 微碧半导体（VBSEMI）
封装： TO247
配置： 单N沟道
核心技术： SiC-S MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：-10 / +22V
阈值电压（Vth）：2~4V
导通电阻（RDS(on) @18V）：16mΩ（超低损耗）
连续漏极电流（ID）：100A（高载流）