在电驱系统向高精度、高密度演进的浪潮之巅，旋变解码器的稳定与高效供电已成为性能突破的关键。作为电机控制的“感知神经”，其供电模块的每一分功耗优化与空间节省，都直接关乎系统的整体能效与可靠性。传统供电方案中，功率开关的导通损耗、热积累与布局限制，如同隐形的“效能枷锁”，制约着电驱系统的巅峰表现。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的功率器件设计能力，匠心推出 VBGQF1402 专用SGT MOSFET——这不仅是一颗MOSFET，更是为电驱旋变解码器供电模块量身打造的“高效能量枢纽”。
应用之核：精度供电与空间密度的双重博弈
在紧凑的电驱控制器内部，为旋变解码器供电的DC-DC或线性调整电路，对功率器件提出了严苛要求：工程师们常常面临艰难平衡：
追求极致的转换效率，需克服有限空间下的散热难题。
确保高可靠性运行，又必须在电气应力与成本间找到最优解。
系统启停、负载瞬变带来的电流冲击，对器件的动态性能与鲁棒性构成持续考验。
VBGQF1402的诞生，正是为了打破这一僵局。
VBGQF1402：以SGT技术，重塑小尺寸大性能典范
微碧半导体深刻理解“方寸之间，性能为王”的法则，在VBGQF1402上融合尖端SGT（Shielded Gate Trench）技术与精妙设计，旨在释放电驱系统的每一分潜能：
40V VDS与±20V VGS：完美匹配12V/24V车载供电平台及工业低压总线，提供充足电压裕度，从容应对负载突降与开关噪声，奠定稳定供电基石。
颠覆性的低导通电阻：在4.5V驱动下仅3.3mΩ，10V驱动下更降至2.2mΩ。极致的导通特性大幅降低开关与传导损耗，显著减少模块自身发热。实测对比表明，其能效提升直接助力供电模块效率迈向行业新高度。
100A强大连续电流能力：卓越的载流性能确保供电模块在电机全工况范围内，即使面对解码器启动峰值电流，也能提供稳定、纯净的电压输出，保障位置反馈毫厘不差。
3V标准阈值电压：与主流低压驱动芯片无缝兼容，简化驱动电路设计，加速开发进程，提升方案性价比。
DFN8(3x3)封装：极致紧凑下的散热与可靠性哲学
采用先进的DFN8(3x3)封装，VBGQF1402在寸土寸金的PCB空间内实现了性能与散热的完美平衡。其底部裸露焊盘提供优异的热传导路径，允许在超高功率密度布局中高效管理热量。这意味着，采用VBGQF1402的设计，能以更小的占板面积实现更高的功率处理能力，或是在同等功率下获得更低的温升，为电驱控制器的小型化、集成化与高可靠性设计开辟新径。
精准赋能：电驱旋变解码器供电模块的至优之选
VBGQF1402的设计哲学，完全聚焦于电驱系统旋变解码器供电的独特需求：
极致高效，提升系统能效：超低RDS(on)显著降低供电模块损耗，提升整体电驱效率，延长电池续航或降低系统运行成本，直接增强终端产品竞争力。
坚固可靠，适应严苛环境：优异的电气规格与稳健的SGT结构，确保器件在车辆振动、高温舱温及频繁启停等恶劣条件下长期稳定工作，保障电机控制回路始终精准无误。
节省空间，降低综合成本：微型封装与高性能允许使用更精简的电路拓扑和更少的外围元件，同时降低散热需求，从物料、设计到热管理全方位优化客户总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专注，驱动未来
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于以客户场景为导向，以技术突破为引擎。我们提供的不仅是芯片，更是基于深度系统理解的解决方案。VBGQF1402的背后，是我们对电驱行业技术趋势的精准洞察，以及对“让电能转换更高效、更紧凑”使命的坚定践行。
选择VBGQF1402，您选择的不仅是一颗性能卓越的SGT MOSFET，更是一位值得信赖的工程伙伴。它将成为您的电驱系统在追求高精度与高可靠性道路上不可或缺的核心元件，共同驱动绿色出行与工业自动化迈向更高效、更智能的未来。
即刻行动，开启电驱供电高效新时代！
产品型号：VBGQF1402
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(3x3)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：3V
导通电阻（RDS(on) @4.5V）：3.3mΩ
导通电阻（RDS(on) @10V）：2.2mΩ（超低损耗）
连续漏极电流（ID）：100A（高载流）