在工业自动化与智能驱动的浪潮之巅，每一次电机的启停都关乎系统寿命与能耗。电机软启动控制，正从“简单接通”向“精细平滑调控”跨越。然而，传统方案中存在的启动冲击、热应力与空间瓶颈，如同隐形的“系统杀手”，威胁着设备的稳定运行。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借深厚的功率半导体技术积淀，精准推出 VBI1695 专用Trench MOSFET——这不是一颗普通的开关器件，而是为极致优化软启动而生的“控制核心”。
行业之痛：平滑性与可靠性的双重挑战
在电机软启动器等关键控制模块中，功率开关器件的性能直接决定了启停的平滑度与系统天花板。工程师们常常陷入两难：
追求快速精准的电流控制，往往面临驱动复杂与热管理的压力。
确保紧凑可靠，又可能在性能上做出妥协。
电机启动瞬间的浪涌电流对器件的稳健性提出严苛考验。
VBI1695的问世，正是为了终结这一妥协。
VBI1695：以硬核参数，重塑性能标尺
微碧半导体深谙“失之毫厘，谬以千里”的道理，在VBI1695的每一个参数上都精益求精，旨在实现丝滑的能源控制：
60V VDS与±20V VGS：为常见24V、48V工业控制电压平台提供充裕的安全裕度，从容应对反电动势与电压尖峰，是系统稳健运行的基石。
领先的低导通电阻（RDS(on) @10V:76mΩ, @4.5V:88mΩ）：这是VBI1695的核心优势。优异的导通特性意味着更低的导通损耗与自身发热，助力提升模块整体效率，并有效简化散热设计。
5.5A持续电流能力（ID）：满足中小功率电机软启动的电流需求，确保在启动曲线调控过程中，实现平滑、无冲击的扭矩输出，有效延长电机寿命。
1.7V标准阈值电压（Vth）：与主流低压驱动IC完美兼容，便于实现高效、快速的栅极控制，简化驱动电路设计，加速产品上市进程。
SOT-89封装：紧凑外形下的高密度集成哲学
采用经典的SOT-89封装，VBI1695在提供可靠电气性能的同时，确保了极佳的空间适用性。其紧凑的体积与优异的封装特性，非常适合于对空间极其敏感的高密度电机控制模块设计。这意味着，采用VBI1695，可以在有限的板卡面积内实现更强大的控制功能，为设备的微型化、集成化与低成本化铺平道路。
精准赋能：电机软启动控制的理想之选
VBI1695的设计基因，完全围绕电机软启动控制的核心需求展开：
平滑控制，提升系统寿命：优异的开关与导通特性，助力实现更精细的电机启动电流曲线控制，从根本上削减机械与电气冲击，显著提升电机及传动系统的整体使用寿命。
稳健可靠，适应严苛环境：良好的电气规格与稳定的封装，确保器件在工业现场的温度波动、振动等复杂条件下长期可靠工作，提升终端产品的耐用性与口碑。
简化设计，优化综合成本：兼容性强的阈值电压与紧凑的封装，允许采用更精简的电路和更小的布局空间，从元器件、PCB到系统结构，全方位帮助客户降低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBI1695的背后，是我们对电机控制行业发展趋势的精准把握，以及对“让电能控制更平滑、更高效”使命的不懈追求。
选择VBI1695，您选择的不仅是一颗性能优异的MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您电机软启动产品在激烈市场竞争中脱颖而出的可靠基石，共同为工业驱动与自动化事业贡献更平稳、更智慧的力量。
即刻行动，开启平滑驱动新纪元！
产品型号：VBI1695
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：SOT-89
配置：单N沟道
核心技术：Trench MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：1.7V
导通电阻（RDS(on) @10V）：76mΩ
导通电阻（RDS(on) @4.5V）：88mΩ
连续漏极电流（ID）：5.5A