在工业自动化与智能驱动的浪潮中，电机的每一次启停与调速都关乎能效与精准。变频调速系统，尤其是中小功率工业驱动与自动化设备，正从“稳定运行”向“高效、静音、高动态响应”全面演进。然而，传统功率开关器件在开关损耗、导通性能与热管理上的局限，已成为提升系统效率与可靠性的隐形枷锁。直面这一挑战，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的功率半导体技术平台，匠心推出 VBM1101N 专用Trench MOSFET——这不仅仅是一颗MOSFET，更是为电机变频调速量身打造的“控制引擎”。
行业痛点：效率、噪音与可靠性的平衡难题
在变频器、伺服驱动等核心模块中，主功率开关器件的性能直接决定了系统的能效天花板、运行噪音与长期稳定性。工程师们常面临多重考验：
- 追求高频高效，往往伴随开关损耗增加与电磁干扰（EMI）挑战。
- 期望低噪音平稳运行，需器件具备优异的开关特性。
- 严苛的工业环境要求器件具备强大的过载与抗冲击能力。
VBM1101N 的诞生，旨在精准破解这些难题，实现性能的全面跃升。
VBM1101N：以精准参数，定义变频控制新标准
微碧半导体深入电机控制应用场景，对 VBM1101N 的关键参数进行精细优化，旨在释放电机系统的潜能：
- 100V VDS 与 ±20V VGS：为广泛的低压电机驱动母线电压提供充足的安全余量，轻松应对反电动势及各种浪涌冲击，保障系统坚固耐用。
- 优异的导通电阻性能：RDS(on) @10V 低至9mΩ，@4.5V 仅20mΩ。优异的低栅压驱动性能，不仅有助于降低导通损耗，提升系统整体效率，更能兼容多种驱动电压设计，为高效与节能提供硬件基石。
- 100A 高连续漏极电流（ID）：强大的电流输出能力，确保变频器在电机启动、加速及重载等瞬态工况下，提供稳定充沛的功率输出，应对自如。
- 2.5V 标准阈值电压（Vth）：与主流电机控制驱动IC完美匹配，简化驱动电路设计，提升系统可靠性并加速开发进程。
TO220封装：经典结构，卓越散热
采用历经市场严苛验证的TO220封装，VBM1101N 在提供卓越电气连接的同时，赋予了出色的散热与机械可靠性。其设计便于安装散热器，实现高效的热量管理，有助于系统实现更紧凑的设计或更高的功率密度，满足现代设备小型化、高集成的趋势。
精准应用：电机变频调速的高效之选
VBM1101N 的设计理念，深度契合变频调速模块的核心需求：
- 提升能效，降低损耗：优异的导通与开关特性，有效降低模块工作温升，减少能量浪费，直接提升系统能效等级。
- 运行平稳，噪音更低：良好的器件特性有助于优化开关波形，降低电磁噪音，实现电机更安静、更平滑的运行。
- 坚固耐用，适应严苛环境：稳健的电气规格与封装工艺，确保在工业现场的高温、振动等复杂条件下长期稳定工作，延长设备寿命。
- 简化设计，优化成本：出色的性能支持更精简的电路拓扑和散热方案，从元件、设计到运维，全方位帮助客户降低总拥有成本。
微碧半导体：以专业，驱动未来
作为专注功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于通过技术创新为客户创造价值。我们提供的不只是芯片，更是基于场景的解决方案。VBM1101N 凝聚了我们对电机驱动领域需求的深刻理解，承载着“让电力控制更高效、更智能”的使命。
选择 VBM1101N，即是选择了一位可靠的性能伙伴。它将成为您的变频调速产品在效能与可靠性竞争中赢得优势的关键助力，共同推动工业驱动迈向更高效、更智能的新时代。
即刻启程，驾驭高效驱动新动力！
产品型号： VBM1101N
品牌： 微碧半导体（VBSEMI）
封装： TO220
配置： 单N沟道
核心技术： Trench MOSFET
关键性能亮点：
- 击穿电压（VDS）：100V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 导通电阻（RDS(on) @10V）：9mΩ
- 导通电阻（RDS(on) @4.5V）：20mΩ
- 连续漏极电流（ID）：100A