在电力电子变革的浪潮之巅，每一次能源转换都至关重要。面向工业驱动、新能源发电及储能的高压逆变领域，系统正从“稳定运行”向“极致高效与功率密度”跨越。然而，传统硅基方案中的开关损耗、高温瓶颈与频率限制，如同沉重的“效率枷锁”，制约着系统性能的终极突破。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的宽禁带半导体技术，重磅推出 VBP112MC60专用SiC-S MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高压逆变而生的“效能引擎”。
行业之痛：损耗、频率与可靠性的三重挑战
在高压逆变器、PFC及DC/DC模块等关键设备中，主功率开关器件的性能直接决定了系统的效率与体积。工程师们常常面临抉择：
追求高频高效，往往受限于传统器件的高损耗与热管理难题。
确保高压安全，又可能牺牲系统的动态响应与功率密度。
严苛的电压应力与开关噪声对器件的坚固性提出更高要求。
VBP112MC60的问世，正是为了打破这一局限。
VBP112MC60：以SiC硬核性能，重塑高压标尺
微碧半导体深谙高压应用“细节定成败”，在VBP112MC60的每一个参数上都极致优化，旨在释放硅基无法企及的能量：
1200V VDS与-10 / +22V VGS：为800V及以下母线系统提供充足的安全余量，从容应对高压浪涌与开关应力，是系统长期稳健运行的坚实基础。
革命性的40mΩ导通电阻（RDS(on) @18V）：这是SiC技术的核心优势。显著降低的导通与开关损耗，意味着更低的温升与更高的效率。实测表明，相比同电压等级硅基MOSFET，VBP112MC60可大幅降低开关损耗，助力整机效率突破新高度，并支持更高开关频率。
60A持续电流能力（ID）：强大的电流输出能力，确保逆变器在满载及过载工况下稳定运行，提供持续可靠的功率传输。
2~4V标准阈值电压（Vth）：与主流SiC驱动方案良好兼容，优化驱动设计，保障快速可靠的开关控制。
TO247封装：高功率密度下的可靠散热基石
采用经典TO247封装，VBP112MC60在提供卓越电气性能的同时，确保了优异的散热能力与机械强度。其设计便于安装散热器，实现高效的热管理，助力系统在更紧凑的空间内处理更高功率，为设备的高功率密度与轻量化设计铺平道路。
精准赋能：高压逆变与能源转换的理想核心
VBP112MC60的设计基因，完全围绕高压高效逆变系统的核心需求展开：
极致高效，降低系统损耗：SiC-S技术带来的超低损耗，直接降低系统温升与散热需求，提升全负载效率，显著降低运行能耗与成本。
高频运行，提升功率密度：优异的开关特性支持更高频率运行，可大幅减小无源元件体积与重量，实现系统小型化与高功率密度。
坚固可靠，适应严苛环境：宽禁带材料固有的高温工作能力与优异的电气参数，确保器件在高压、高温及频繁开关等恶劣条件下长期稳定工作，提升系统寿命与可靠性。
简化设计，优化综合成本：高性能允许采用更简洁的拓扑与滤波设计，同时降低散热成本，从多维度帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，驱动能源未来
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于以技术创新为客户创造价值。我们不仅提供先进的SiC芯片，更提供基于场景的解决方案。VBP112MC60的背后，是我们对高压高功率行业趋势的深刻洞察，以及对“让能源转换更高效、更可靠”使命的坚定实践。
选择VBP112MC60，您选择的不仅是一颗高性能的SiC MOSFET，更是一位面向未来的技术伙伴。它将成为您高压逆变产品在性能竞争中领先一步的关键核心，共同推动电力电子向更高效率、更高密度迈进。
即刻行动，开启高压高效能源新时代！
产品型号：VBP112MC60
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247
配置：单N沟道
核心技术：SiC-S MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：-10 / +22V
阈值电压（Vth）：2~4V
导通电阻（RDS(on) @18V）：40mΩ（低损耗）
连续漏极电流（ID）：60A（高载流）