在追求极致电能质量的今天，功率因数校正（PFC）模块是高效、清洁能源转换的前沿堡垒。面对电网谐波治理与能效提升的双重挑战，传统功率器件在效率、热管理与可靠性上已触及瓶颈。微碧半导体（VBSEMI）聚焦电力电子核心需求，倾力打造VBP112MI75专用FS IGBT——这不仅是一颗功率器件，更是为高性能PFC电路注入的“高效灵魂”。
行业痛点：效率、散热与成本的三角博弈
在千瓦级乃至更高功率的PFC应用中，主开关器件的性能直接决定整机效能。工程师们常面临严峻权衡：
追求低损耗与高效率，往往伴随高昂的热管理成本与可靠性风险。
确保系统鲁棒性，又不得不在开关性能上做出让步。
严苛的工况与能效标准，对器件的动态特性与长期可靠性提出了前所未有的考验。
VBP112MI75的诞生，旨在打破这一僵局，实现性能的全面跃升。
VBP112MI75：以顶尖规格，树立性能标杆
微碧半导体秉承“精工至微”的理念，对VBP112MI75的每一项参数都极致优化，旨在释放PFC电路的每一分潜能：
1200V VCE与±30V VGE：为单相及三相PFC等高电压应用提供充足的安全余量，从容应对电网波动与开关浪涌，奠定系统稳定运行的坚实基础。
革命性的1.55V低饱和压降（VCEsat @15V）：这是VBP112MI75的核心突破。结合先进的场截止（FS）技术，显著降低了导通与开关损耗。实测表明，相比同规格常规IGBT，VBP112MI75能有效提升效率，降低热耗散，助力PFC模块轻松满足严苛的能效标准。
75A强劲电流能力（ICE）：强大的电流处理能力，确保PFC电路在满载及动态负载下均能实现高功率因数与低谐波失真，应对突加负载游刃有余。
5.5V标准阈值电压（VGEth）：与主流驱动电路完美匹配，简化栅极设计，提升系统可靠性，加速开发进程。
TO247封装：强大功率的可靠基石
采用行业经典的TO247封装，VBP112MI75在承载优异电气性能的同时，提供了卓越的工程实用性。其坚固的结构与优化的散热路径，便于搭配高效散热方案，实现出色的功率密度与热管理。这使得采用VBP112MI75的设计，能够在更紧凑的空间内处理更大功率，或以更简化的热设计达成目标温升，为设备的高功率密度与高可靠性集成铺平道路。
精准赋能：中高功率PFC模块的理想核心
VBP112MI75的设计初衷，直击高性能PFC模块的核心诉求：
极致高效，提升系统能效：低VCEsat与FS技术大幅降低导通与开关损耗，直接减少温升与散热需求，在全负载范围内提升整机效率，为用户节省可观运营成本。
坚固可靠，适应严苛环境：优异的电气规格与稳健的封装，保障器件在工业级温度、湿度及频繁开关等应力下长期稳定运行，显著提升终端产品的寿命与市场竞争力。
优化设计，降低综合成本：高性能允许采用更高效的拓扑和更少的并联需求，同时降低散热系统复杂度，从器件、热管理到系统层面，全方位帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，驱动未来
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终以客户挑战为导向，以技术创新为引擎。我们不仅提供芯片，更提供基于场景的深度解决方案。VBP112MI75的背后，是我们对电力电子行业趋势的深刻洞察，以及对“让能源转换更智能、更高效”使命的坚定践行。
选择VBP112MI75，您选择的不仅是一颗性能卓越的FS IGBT，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您的PFC产品在效能与品质竞争中决胜的关键，共同为推动全球电能质量升级与绿色能源发展贡献核心力量。
即刻行动，携手迈向高效电能新时代！
产品型号： VBP112MI75
品牌： 微碧半导体（VBSEMI）
封装： TO247
配置： IGBT+FRD
核心技术： 场截止（FS）技术
关键性能亮点：
击穿电压（VCE）：1200V
栅射电压（VGE）：±30V
阈值电压（VGEth）：5.5V
饱和压降（VCEsat @15V）：1.55V（低损耗）
连续集电极电流（ICE）：75A（强载流）