在关键电力保障的使命前沿，每一秒的稳定与每一瓦的效率都至关重要。不间断电源（UPS）系统，作为数据中心、工业自动化与基础设施的“电力生命线”，正从“应急备用”向“高效智能不间断”跨越。然而，传统方案中存在的开关损耗、热累积与可靠性压力，如同潜在的“系统风险”，威胁着供电的最终品质。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术平台，重磅推出VBP165R96SFD专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为极致可靠与高效而生的“功率基石”。
行业之痛：效率、热管理与可靠性的三重考验
在UPS的PFC、DC-DC及逆变等关键功率级中，主开关器件的性能直接决定了系统的效能天花板与稳定底线。工程师们常面临严峻权衡：
追求高频高效，往往伴随开关损耗增加与电磁干扰挑战。
确保过载与短路耐受性，又需在导通损耗与成本间取得平衡。
严苛的工业环境与突发负载冲击，对器件的坚固性提出持续考验。
VBP165R96SFD的问世，正是为了终结这一权衡。
VBP165R96SFD：以卓越参数，定义性能标杆
微碧半导体恪守“精工铸就可靠”的理念，在VBP165R96SFD的每一项参数上精益求精，旨在释放被束缚的功率潜能：
650V VDS与±30V VGS：为三相及大功率单相UPS系统提供充裕的电压安全裕度，从容应对电网波动与开关浪涌，是系统稳健运行的坚实基础。
领先的19mΩ优异导通电阻（RDS(on) @10V）：这是VBP165R96SFD的核心优势。优异的导通特性意味着更低的传导损耗，显著降低器件工作温升。实测表明，相比同规格常规MOSFET，VBP165R96SFD可有效提升转换效率，助力整机效率迈向新高。
96A强大连续电流能力（ID）：充沛的电流吞吐量，确保UPS在应对突加负载、非线性负载乃至瞬间过载时，能够提供稳定、无畸变的纯净功率输出，保障后端设备安全。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流驱动电路完美兼容，简化栅极设计，提升系统可靠性，加速开发进程。
SJ_Multi-EPI技术：在经典超结基础上，通过多层外延工艺优化，实现了导通电阻与开关损耗的更优平衡，兼顾高效率与低EMI。
TO247封装：强大功率下的散热典范
采用行业高功率标准TO247封装，VBP165R96SFD在提供卓越电气性能的同时，确保了顶级的散热能力与机械强度。其设计便于安装大型散热器，构建高效热管理路径。这使得采用VBP165R96SFD的UPS设计，能够在高功率密度下保持低温升，或在相同散热条件下承载更大功率，为设备的高可靠性、紧凑化设计奠定基础。
精准赋能：中大功率UPS模块的理想选择
VBP165R96SFD的设计基因，完全围绕UPS系统对效率、可靠性与功率密度的核心需求打造：
极致高效，降低运营成本：优异的RDS(on)与开关特性直接降低系统损耗，减少能源浪费与散热需求，在全生命周期内显著提升能效，为用户节约运营开支。
坚固可靠，保障持续运行：高耐压、大电流能力与稳健的TO247封装，确保器件在7x24小时连续运行、高温及复杂电网环境下稳定工作，极大提升UPS系统的平均无故障时间（MTBF）与市场口碑。
优化设计，提升功率密度：高性能允许采用更高效的拓扑与更紧凑的布局，同时降低对热管理的压力，从元器件、散热到系统结构，全方位助力客户实现高功率密度与低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，护航电力永恒
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBP165R96SFD的背后，是我们对电力电子行业高可靠要求的深刻理解，以及对“让电能转换更高效、更安全”使命的不懈追求。
选择VBP165R96SFD，您选择的不仅是一颗性能卓越的MOSFET，更是一位值得信赖的电力保障伙伴。它将成为您UPS产品在高端市场竞争中赢得信赖的关键支柱，共同为全球关键设施提供不间断的优质电力。
即刻行动，构筑不间断电力新标杆！
产品型号：VBP165R96SFD
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：19mΩ（优异导通）
连续漏极电流（ID）：96A（强大载流）