在算力需求爆炸式增长的数字化时代，每一瓦电能的精准转换与高效利用都至关重要。面向服务器与高性能GPU的电压调节模块（VRM），正从“稳定供电”向“极致高效与动态响应”跨越。然而，传统功率器件在超高电流、高频开关下的导通损耗、热堆积与空间占用挑战，如同沉重的“效能枷锁”，制约着算力密度的提升。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术，倾力打造 VBGQA1400 专用SGT MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高密度算力供电而生的“能量引擎”。
行业之痛：效率、热管理与功率密度的三重考验
在服务器GPU VRM等苛刻应用中，核心功率器件的性能直接决定了供电系统的天花板。工程师们面临严峻权衡：
追求超高效率与快速响应，需承受热管理复杂性与布局挑战。
确保在高频下的稳定可靠，又可能牺牲功率密度与成本。
GPU负载的瞬时剧烈变化对器件的通流能力与开关韧性提出极限考验。
VBGQA1400的诞生，正是为了打破这一僵局。
VBGQA1400：以巅峰参数，树立性能标杆
微碧半导体秉持“精微之处，见真章”的理念，在VBGQA1400的每一处细节都追求极致，旨在释放被压抑的算力潜能：
40V VDS与±20V VGS：为12V、48V中间总线架构提供充足的安全余量，从容应对电压尖峰与浪涌，保障核心负载的稳定运行。
突破性的0.8mΩ超低导通电阻（RDS(on) @10V）：这是VBGQA1400的核心竞争力。极致的导通损耗意味着，在超高电流输出下，器件自身发热显著减少。实测表明，相比同规格常规MOSFET，VBGQA1400可将功率损耗大幅降低，直接推动VRM效率向峰值迈进，减少能源浪费。
250A强悍连续电流能力（ID）：无与伦比的电流吞吐量，确保GPU在突发重载与动态频率切换时，供电链路保持强劲、低纹波的功率输送，轻松应对瞬时峰值电流挑战。
2.5V标准阈值电压（Vth）：与主流多相控制器和驱动IC完美匹配，简化驱动电路设计，加速高可靠性电源方案落地。
DFN8(5x6)封装：迷你尺寸中的散热与功率艺术
采用先进的DFN8(5x6)封装，VBGQA1400在提供顶级电气性能的同时，实现了卓越的功率密度。其紧凑的占板面积和底部裸露焊盘（Exposed Pad）设计，极大优化了散热路径，便于通过PCB高效导热。这意味着，采用VBGQA1400的设计，能在极其有限的空间内承载惊人的电流，为服务器和GPU实现更高算力密度、更紧凑的布局铺平道路。
精准赋能：服务器GPU VRM的理想选择
VBGQA1400的设计哲学，完全契合高性能计算供电系统的严苛要求：
极致高效，提升算力能效比：超低RDS(on)直接降低全负载范围损耗，减少热量产生，助力数据中心降低PUE，将更多电能转化为有效算力。
坚固可靠，保障持续稳定运行：优异的电气规格与先进的SGT技术，确保器件在高温、高频、连续满载的严苛工况下长期稳定工作，提升服务器系统整体MTBF。
高功率密度，优化系统设计：极小封装与超高电流能力允许使用更少的相位或更紧凑的多相布局，降低系统复杂性与综合成本，赋能更高性能的硬件设计。
微碧半导体：以专注，驱动创新
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终聚焦客户挑战，以技术创新提供价值。我们不仅提供芯片，更提供基于场景的深度解决方案。VBGQA1400的背后，是我们对高性能计算供电趋势的深刻洞察，以及对“让电能转换更高效、更紧凑”使命的坚定实践。
选择VBGQA1400，您选择的不仅是一颗性能彪悍的MOSFET，更是一位值得信赖的能效伙伴。它将成为您高端服务器与GPU供电方案在激烈竞争中领先的关键助力，共同驱动全球计算基础设施向更绿色、更强大的未来迈进。
即刻升级，引领算力供电新标准！
产品型号：VBGQA1400
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5x6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：2.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：0.8mΩ（超低损耗）
连续漏极电流（ID）：250A（超高载流）