在数据中心算力澎湃的浪潮之巅，每一瓦电能的转换与调控都至关重要。服务器CPU电压调节模块（VRM），作为算力芯片的“能量脉搏”，正从“稳定供电”向“高效精准供电”跨越。然而，传统方案中隐藏的开关损耗、热密度挑战与动态响应瓶颈，如同无形的“算力枷锁”，制约着系统性能与能效的终极释放。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术积淀，重磅推出VBGQA1400专用SGT MOSFET——这不是一颗普通的开关器件，而是为极致功率密度与效率而生的“调控引擎”。
行业之痛：效率、热管理与动态响应的三重挑战
在服务器CPU VRM等关键供电单元中，功率器件的性能直接决定了系统的能效天花板。工程师们常常陷入多维权衡：
追求超高开关频率与效率，往往面临驱动损耗与散热设计的巨大压力。
确保大电流下的稳定可靠，又可能牺牲功率密度与瞬态响应速度。
CPU负载的瞬时剧烈变化对器件的快速响应与导通能力提出严苛考验。
VBGQA1400的问世，正是为了终结这一多维妥协。
VBGQA1400：以巅峰参数，重塑性能标尺
微碧半导体深谙“细节决定能效”的道理，在VBGQA1400的每一个参数上都精益求精，旨在释放被束缚的算力潜能：
40V VDS与±20V VGS：为现代服务器低电压、大电流的CPU供电平台提供充裕的安全裕度，从容应对高频开关下的电压应力，是系统稳健运行的基石。
革命性的0.8mΩ超低导通电阻（RDS(on) @10V）：这是VBGQA1400的核心突破。极低的导通损耗意味着，在相同输出电流下，器件自身发热大幅降低。实测表明，相比市场上同规格产品，VBGQA1400可将功率损耗显著降低，直接助力供电模块效率向峰值迈进。
250A澎湃电流能力（ID）：强大的电流吞吐量，确保VRM在CPU瞬时负载激增时，也能提供持续、平滑且无压降的功率输出，保障算力核心的巅峰性能持续释放。
2.5V标准阈值电压（Vth）：与主流多相控制器及驱动IC完美兼容，优化驱动效率，简化电路设计，加速高密度电源方案上市进程。
DFN8(5x6)封装：迷你身形下的卓越散热哲学
采用先进的DFN8(5x6)封装，VBGQA1400在提供顶级电气性能的同时，实现了极致的功率密度。其紧凑的占板面积和底部散热露铜设计，便于通过PCB实现高效的热量管理。这意味着，采用VBGQA1400的设计，可以在更小的空间内承载更大的电流，满足服务器电源模块高密度、小型化的严苛需求，为算力升级铺平道路。
精准赋能：服务器CPU VRM的理想之选
VBGQA1400的设计基因，完全围绕服务器CPU供电的核心需求展开：
极致高效，提升算力能效比：超低RDS(on)直接降低导通损耗，减少温升，提升系统整体能效，直接转化为数据中心更低的运营成本与碳足迹。
坚固可靠，应对严苛工况：优异的电气规格和先进的SGT技术，确保器件在高温、高频、连续满载的严苛环境下长期可靠工作，保障数据中心稳定运行。
高功率密度，简化系统设计：顶级性能结合迷你封装，允许设计更紧凑、相数更多的多相VRM方案，提升动态响应速度，全方位帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBGQA1400的背后，是我们对数据中心与算力行业发展趋势的精准把握，以及对“让电能转换更高效、更精密”使命的不懈追求。
选择VBGQA1400，您选择的不仅是一颗性能巅峰的MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您服务器电源产品在激烈市场竞争中脱颖而出的核心利器，共同为全球计算基础设施贡献更高效、更强大的力量。
即刻行动，开启精准供电新纪元！
产品型号：VBGQA1400
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5X6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：2.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：0.8mΩ（超低损耗）
连续漏极电流（ID）：250A（高载流）