在智能清洁设备普及的浪潮之巅，每一次高效回充与每一刻安全守护都至关重要。扫地机器人充电桩模块，正从“单一供电”向“高效智能能源管理”跨越。然而，传统方案中隐藏的开关损耗、热累积与电压应力挑战，如同隐形的“效率屏障”，制约着充电速度与系统可靠性。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术积淀，重磅推出 VBL165R20S 专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不是一颗普通的开关器件，而是为极致优化而生的“充电枢纽”。
行业之痛：效率、散热与可靠性的多重挑战
在扫地机充电桩等关键电源模块中，主功率开关器件的性能直接决定了充电效率与安全天花板。工程师们常常面临权衡：
追求高功率密度与快速充电，往往面临散热与电压应力的严峻考验。
确保系统安全与长期可靠，又可能在效率与成本上做出妥协。
电网波动及负载切换对器件的耐压与坚固性提出严苛要求。
VBL165R20S的问世，正是为了终结这一妥协。
VBL165R20S：以硬核参数，重塑性能标尺
微碧半导体深谙“细节决定成败”，在VBL165R20S的每一个参数上都精益求精，旨在释放高效安全的充电潜能：
650V VDS与±30V VGS：为全球主流AC-DC电压平台提供充裕的安全裕度，从容应对高压浪涌与开关尖峰，是系统稳健运行的基石。
优化的160mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：在高压应用中实现良好的导通损耗与开关损耗平衡。结合SJ_Multi-EPI技术，显著降低开关过程中的能量损失，提升整机转换效率，助力实现更快的充电速度与更低的温升。
20A持续电流能力（ID）：满足充电模块持续可靠的功率传输需求，确保在充电周期内提供稳定平滑的能量输出。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流驱动电路完美兼容，简化驱动设计，提升方案可靠性，加速产品开发进程。
TO263封装：高功率密度下的可靠散热选择
采用适用于高密度板卡设计的TO263（D²PAK）封装，VBL165R20S在节省空间的同时，提供了优异的散热性能。其封装底部金属片便于焊接散热，实现高效的热量导出。这意味着，采用VBL165R20S的设计，可以在紧凑的充电桩模块内实现更高的功率处理能力，并以简洁的散热设计满足安规温升要求，为设备的小型化与高可靠性铺平道路。
精准赋能：扫地机充电桩模块的理想之选
VBL165R20S的设计基因，完全围绕智能设备充电桩模块的核心需求展开：
高效节能，提升充电速度：优化的RDS(on)与先进技术有效降低开关损耗，提升能源转换效率，实现更快的充电循环，直接提升用户体验。
坚固安全，保障长期可靠：650V高耐压与稳健的封装，确保器件能耐受电网波动及复杂工况，在长期连续运行中保持高可靠性，极大提升了终端产品的安全口碑与使用寿命。
简化设计，优化综合成本：良好的电气性能有助于简化电路拓扑和外围设计，同时降低散热需求，从元器件、热管理到系统维护，全方位帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBL165R20S的背后，是我们对智能设备充电领域发展趋势的精准把握，以及对“让能源转换更高效、更可靠”使命的不懈追求。
选择VBL165R20S，您选择的不仅是一颗性能优异的MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您充电桩模块产品在激烈市场竞争中脱颖而出的可靠基石，共同为智能清洁设备提供更高效、更安全的能源保障。
即刻行动，开启智能充电新纪元！
产品型号：VBL165R20S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO263
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：160mΩ
连续漏极电流（ID）：20A