在光伏能源高效转换的核心战场，逆变器的性能直接决定着每一缕阳光的价值。面对持续提升的功率密度、效率与可靠性要求，传统功率器件已触及瓶颈。微碧半导体（VBSEMI）依托先进的宽禁带技术平台，倾力打造VBL165R36S专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗MOSFET，更是面向下一代光伏逆变器的高效能量枢纽。
行业挑战：效率、耐压与热管理的平衡艺术
在组串式与集中式光伏逆变器的功率模块中，主开关器件承受着高压、大电流与高频开关的严酷考验。工程师面临的核心矛盾在于：
- 提升系统效率，需要更低的开关与导通损耗，但可能牺牲高压下的坚固性。
- 确保高耐压与可靠性，往往导致导通电阻增加，制约效率提升。
- 频繁的功率波动对器件的动态特性与热稳定性提出极限要求。
VBL165R36S的诞生，旨在突破这一多重约束，实现性能的全面跃升。
VBL165R36S：以SJ_Multi-EPI技术，重塑高压开关典范
微碧半导体将创新的超结多外延（SJ_Multi-EPI）技术注入VBL165R36S，在关键参数上树立新标杆：
- 650V VDS与±30V VGS：专为光伏逆变器常见的600V母线电压设计，提供充足的安全余量，从容应对高压浪涌与开关尖峰，保障系统在恶劣电网环境下的长期稳定运行。
- 领先的75mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：得益于SJ_Multi-EPI技术，在650V高压下实现了优异的低导通损耗。这显著降低了器件在额定工况下的发热，为逆变器实现更高转换效率（如>99%）与更高功率密度奠定了硬件基础。
- 36A持续电流能力（ID）：强大的载流能力满足光伏逆变器功率模块的连续高功率输出需求，确保在最大功率点跟踪（MPPT）及过载瞬间的稳定承载，提升系统整体输出能力与鲁棒性。
- 3.5V标准阈值电压（Vth）：与行业主流驱动电路完美匹配，简化栅极驱动设计，提升系统兼容性与开发便捷性，加速产品迭代。
TO263封装：为高功率密度而生的散热解决方案
采用TO263（D²PAK）封装，VBL165R36S在紧凑的占位面积内实现了优异的散热性能。其低热阻设计与坚固的封装结构，便于与散热器高效结合，优化热管理。这使得采用VBL165R36S的逆变器设计能够在更小的体积内处理更大的功率，或显著降低温升，直接助力设备向小型化、轻量化与高可靠性方向演进。
精准应用：光伏逆变器功率模块的理想核心
VBL165R36S的设计完全聚焦于光伏逆变器的核心需求：
- 极致高效，提升发电收益：优异的导通与开关特性降低系统整体损耗，直接提升逆变器的转换效率，从而在电站全生命周期内最大化发电量，提升投资回报率。
- 高压坚固，保障系统可靠：650V高耐压与稳健的封装技术，确保器件在复杂电网环境、高温高湿等户外条件下长期可靠工作，大幅提升终端产品的使用寿命与市场竞争力。
- 优化设计，降低综合成本：高性能允许采用更精简的拓扑和更少的并联数量，同时降低对散热系统的要求，从器件成本、热管理到系统维护等多维度帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以技术深耕，驱动能源未来
作为专业的功率半导体品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于通过技术创新解决能源转换中的核心挑战。我们提供的不只是芯片，更是基于场景深度理解的解决方案。VBL165R36S承载着我们对光伏产业高效率、高可靠性发展的承诺，践行“让每一度电更高效”的使命。
选择VBL165R36S，即是选择了一位引领高压高效转换的技术伙伴。它将成为您的光伏逆变器在激烈市场中赢得优势的关键引擎，共同推动全球绿色能源向更智能、更经济的未来迈进。
即刻升级，引领高效逆变新时代！
产品型号：VBL165R36S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO263
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：75mΩ
连续漏极电流（ID）：36A