在光伏系统向更高电压、更高密度演进的道路上，DC-DC升压模块是提升能量捕获与传输效率的核心引擎。面对紧凑空间与严苛散热环境的双重考验，传统功率器件往往力不从心。微碧半导体（VBSEMI）精准洞察这一挑战，倾力打造 VBGQA1103专用SGT MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高密度、高效率升压转换而生的“能量引擎”。
行业痛点：空间、效率与热管理的三角博弈
在紧凑型光伏升压模块设计中，工程师面临核心矛盾：
追求超高功率密度，常受限于器件散热与布局空间。
优化转换效率，需克服高频开关损耗与导通损耗的平衡难题。
确保系统在宽输入电压范围内的稳定与可靠，对器件性能提出极致要求。
VBGQA1103的到来，旨在打破此僵局，实现性能的全面跃升。
VBGQA1103：以SGT核心技术，重塑升压模块性能标杆
微碧半导体依托先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，在VBGQA1103上实现了品质因数的卓越突破，为高效升压转换奠定硬核基础：
- 100V VDS与±20V VGS：为光伏系统常见的低压端升压至高压总线提供充足电压裕度，稳健应对开关尖峰与浪涌，保障系统长期可靠性。
- 3.45mΩ优异导通电阻（RDS(on) @10V）：SGT结构带来的超低导通损耗，显著降低器件温升，直接提升模块整体效率，助力系统转换效率迈向新高。
- 135A强劲连续电流（ID）：强大的电流处理能力，确保模块在最大功率点跟踪及负载瞬变时，保持稳定、低纹波的功率输出，从容应对光伏输入波动。
- 1.5V低阈值电压（Vth）：与主流驱动电路完美匹配，易于驱动，有利于实现更高频、更高效的开关控制，优化动态性能。
DFN8(5x6)封装：高功率密度的空间艺术
采用先进的DFN8(5x6)封装，VBGQA1103在极致紧凑的占位面积内，实现了卓越的电气性能与散热能力的平衡。其底部裸露焊盘提供极低热阻，便于将热量高效导出至PCB，是实现超薄、高密度升压模块设计的理想选择，助力客户产品在尺寸与性能上赢得双重优势。
精准赋能：光伏DC-DC升压模块的理想核心
VBGQA1103的设计，直指高密度光伏升压应用的核心诉求：
- 提升功率密度与效率：低RDS(on)与优异开关特性，减少损耗与发热，允许在更小体积内实现更高功率处理能力，直接提升系统发电收益。
- 增强系统可靠性：坚固的SGT结构与紧凑封装，确保在高温、高湿及频繁热循环的户外环境下稳定工作，延长模块使用寿命。
- 简化设计与降低成本：高性能器件可简化拓扑优化与散热设计，减少外围元件需求，从BOM成本、设计复杂度到系统维护，全方位降低总拥有成本。
微碧半导体：以专业，驱动能源转换未来
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于通过前沿技术与深度应用结合，为客户提供超越期待的解决方案。VBGQA1103承载着我们对光伏产业高效化、高密度化趋势的深刻理解，以及对“极致能效，可靠传承”承诺的践行。
选择VBGQA1103，即是选择一款为高密度升压转换而量身打造的性能利器，也是选择一位值得信赖的技术伙伴。它将助您的产品在激烈的市场竞争中构建核心优势，共同推动绿色能源转换技术迈向新高度。
即刻行动，开启高密度高效升压新时代！
产品型号：VBGQA1103
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5x6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
- 击穿电压（VDS）：100V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.5V（低开启）
- 导通电阻（RDS(on) @10V）：3.45mΩ（优异导通）
- 连续漏极电流（ID）：135A（强劲载流）