在工业自动化与精密控制的浪潮之巅，每一次脉冲与每一个微步都至关重要。步进电机驱动系统，尤其是面向高可靠性、高动态响应需求的工控场景，正从“简单转动”向“精准智能驱动”跨越。然而，传统方案中隐藏的开关损耗、热累积挑战与电气应力瓶颈，如同无形的“性能枷锁”，制约着系统的最终精度与可靠性。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借深厚的功率半导体技术积淀，重磅推出 VBM165R36S专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不是一颗普通的开关器件，而是为极致驱动而生的“控制核心”。
行业之痛：动态损耗与可靠性的双重挑战
在步进电机驱动模块等关键设备中，主功率开关器件的性能直接决定了系统的天花板。工程师们常常陷入两难：
追求高频率与快速响应，往往面临开关损耗激增与散热压力。
确保长期稳定与高压隔离，又可能在效率与成本上做出妥协。
母线电压波动及电机反电动势对器件的耐压与雪崩能力提出严苛考验。
VBM165R36S的问世，正是为了终结这一妥协。
VBM165R36S：以硬核参数，重塑性能标尺
微碧半导体深谙“失之毫厘，谬以千里”的道理，在VBM165R36S的每一个参数上都精益求精，旨在释放被束缚的控制力：
650V VDS与±30V VGS：为常见310V、380V工业母线电压提供充裕的安全裕度，从容应对开关尖峰与能量回馈冲击，是系统稳健运行的基石。
优化的75mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：这是VBM165R36S的平衡之选。优异的导通与开关损耗平衡意味着，在高频PWM驱动下，器件自身发热得到有效控制。实测表明，相比市场上同规格通用MOSFET，VBM165R36S可将综合损耗显著降低，直接助力驱动效率与温升性能的同步提升。
36A持续电流能力（ID）：充沛的电流输出能力，确保驱动模块在启停、细分及保持力矩等各种工况下，都能提供稳定、不失真的电流波形，保障电机运行平稳，响应精准。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流驱动IC完美兼容，确保驱动简洁可靠，大幅简化系统设计，加速产品上市进程。
TO220封装：经典外形下的工控级可靠哲学
采用经过全球亿万级市场验证的TO220封装，VBM165R36S在提供优异电气性能的同时，确保了极佳的工程适用性与可靠性。其坚固的机械结构和优异的导热路径，便于安装散热器，实现高效的热量管理。这意味着，采用VBM165R36S的设计，可以在严苛的工业环境中持续稳定工作，为设备的高可靠性、长寿命运行奠定坚实基础。
精准赋能：工控步进电机驱动的理想之选
VBM165R36S的设计基因，完全围绕步进电机驱动模块的核心需求展开：
高效精准，提升控制性能：优化的SJ_Multi-EPI技术带来更快的开关速度与更低的损耗，减少发热带来的性能劣化，保障电机在高速、高细分下的精度与力矩稳定性。
坚固可靠，无惧复杂工况：650V高耐压与±30V宽栅压范围，提供强大的过压与抗干扰能力，确保器件在电压波动、频繁启停及恶劣电磁环境下长期可靠工作，极大提升了终端产品的市场竞争力。
简化设计，优化系统成本：优异的性能平衡允许采用更高效的驱动架构，同时降低了对散热系统的压力，从元器件、热管理到系统维护，全方位帮助客户降低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBM165R36S的背后，是我们对工控驱动行业发展趋势的精准把握，以及对“让电能控制更精准、更可靠”使命的不懈追求。
选择VBM165R36S，您选择的不仅是一颗性能卓越的MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您步进电机驱动产品在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器，共同为全球工业自动化事业贡献更精准、更智慧的力量。
即刻行动，开启精密驱动新纪元！
产品型号：VBM165R36S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO220
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：75mΩ（优化损耗）
连续漏极电流（ID）：36A（强劲驱动）