微碧半导体VB2355:重塑光猫能效,开启供电模块精控新时代
时间:2025-12-12
浏览次数:9999
返回上级页面
在千兆网络全民普及的浪潮之巅,每一份稳定与每一度电能都至关重要。光猫等网络终端设备,其核心主芯片组供电模块正从“稳定运行”向“高效静默运行”跨越。然而,传统供电方案中隐藏的开关损耗、空间占用与散热挑战,如同无形的“性能枷锁”,制约着设备的可靠性与能效表现。直面这一核心痛点,微碧半导体(VBSEMI)凭借深厚的功率半导体技术积淀,精准推出VB2355专用Trench MOSFET——这不是一颗普通的开关器件,而是为极致优化而生的“供电引擎”。
行业之痛:空间、效率与可靠性的三重挑战
在主芯片组等低压大电流供电场景中,功率开关器件的性能直接决定了系统的天花板。工程师们常常陷入多难:
追求高功率密度,必须采用极小封装,却面临散热与电流能力的瓶颈。
确保高效率,需在极低栅压驱动下拥有超低导通阻抗。
复杂的电路板布局对器件的热稳定性与长期可靠性提出严苛考验。
VB2355的问世,正是为了终结这一妥协。
VB2355:以精研参数,重塑性能标尺
微碧半导体深谙“方寸之间,决胜千里”的道理,在VB2355的每一个参数上都精益求精,旨在释放被束缚的性能:
-30V VDS与±20V VGS:为-12V、-5V等负压或低压系统提供充裕的安全裕度,从容应对电压波动与反向冲击,是系统稳健运行的基石。
卓越的低压驱动性能:这是VB2355的核心突破。在4.5V栅压下仅54mΩ,在10V栅压下更可低至46mΩ的导通电阻(RDS(on))。这意味着在常用低压驱动信号下即可实现极低的导通损耗,大幅降低器件自身发热与电源路径压降,直接助力供电模块效率迈向新高度。
-5.6A持续电流能力(ID):在SOT23-3的微型封装内提供强大的电流吞吐量,确保为主芯片、内存等核心负载提供平滑、纯净的功率输出,无惧瞬时负载波动挑战。
-1.7V标准阈值电压(Vth):与主流低压驱动IC完美兼容,易于驱动控制,大幅简化电路设计,加速产品开发进程。
SOT23-3封装:微型化下的高功率密度哲学
采用业界高密度贴装标准的SOT23-3封装,VB2355在提供优异电气性能的同时,实现了极致的空间节省。其紧凑的尺寸与优异的封装热性能,非常适合对PCB面积极度敏感的高密度光猫、路由器等设备。这意味着,采用VB2355的设计,可以在更紧凑的空间内实现高效大电流供电,为终端设备的小型化、轻薄化与多功能集成铺平道路。
精准赋能:主芯片组供电模块的理想之选
VB2355的设计基因,完全围绕网络通信设备核心供电的严苛需求展开:
极致高效,提升整机能效:优异的低压驱动特性与超低RDS(on),直接降低供电模块工作温升与损耗,助力设备满足更严苛的能效标准,降低系统运营成本。
稳定可靠,保障持久运行:优异的电气规格和稳健的微型封装,确保器件在设备长期连续运行及复杂内部热环境下稳定工作,极大提升了终端产品的可靠性口碑与使用寿命。
简化设计,节省综合成本:高集成度与易驱动特性允许采用更简洁的电路设计,减少外围元件,同时降低了对散热设计的依赖,从元器件、PCB布局到系统散热,全方位帮助客户降低总拥有成本(TCO)。
微碧半导体:以专业,成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌,微碧半导体(VBSEMI)始终坚持以客户需求为导向,以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片,更提供基于深度应用理解的解决方案。VB2355的背后,是我们对网络通信行业发展趋势的精准把握,以及对“让电能转换更高效、更集成”使命的不懈追求。
选择VB2355,您选择的不仅是一颗性能卓越的MOSFET,更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您光猫、网关等产品主供电模块在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器,共同为全球智能连接时代贡献更稳定、更高效的力量。
即刻行动,开启高效供电新纪元!
产品型号:VB2355
品牌:微碧半导体(VBSEMI)
封装:SOT23-3
配置:单P沟道
核心技术:Trench MOSFET
关键性能亮点:
击穿电压(VDS):-30V
栅源电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):-1.7V
导通电阻(RDS(on) @4.5V):54mΩ
导通电阻(RDS(on) @10V):46mΩ(低压高效)
连续漏极电流(ID):-5.6A(高功率密度)