在集中式与大型分布式光伏电站的宏大图景中，逆变器作为系统的心脏，其效能与可靠性直接关乎每一度绿电的价值。面对持续攀升的功率密度与并网品质要求，传统功率器件在高压、高频与高温下的性能瓶颈日益凸显。微碧半导体（VBSEMI）聚焦光伏逆变器功率模块的严苛需求，倾力推出VBL165R36S专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗高压开关器件，更是驱动逆变效率迈向巅峰的“核心引擎”。
行业挑战：高压高效与长期可靠性的平衡难题
在组串式与集中式逆变器的功率模块中，高压主功率开关器件承受着极限考验。系统设计师面临的核心矛盾在于：
追求高压下的高效率，往往需应对开关损耗与导通损耗的双重挑战。
确保长期运行可靠性，又必须克服高温应力与电压尖峰带来的退化风险。
电网波动与复杂工况对器件的动态特性与坚固性提出了前所未有的要求。
VBL165R36S的诞生，旨在破解这一高压高效难题。
VBL165R36S：以卓越特性，树立高压性能标杆
微碧半导体凭借先进的SJ_Multi-EPI技术，在VBL165R36S的关键参数上实现精准突破，致力于最大化光伏系统的能量产出：
650V VDS与±30V VGS：完美适配540V、600V等常见光伏直流母线电压平台，提供充足的电压裕度，轻松应对反激电压与电网浪涌，构筑系统安全运行的坚固防线。
领先的75mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：结合SJ_Multi-EPI技术的优势，在650V高压下实现优异的低导通损耗。这显著降低了器件在额定工况下的发热，助力逆变器整机效率突破业界高点，将更多太阳能转化为可用电能。
36A持续电流能力（ID）：稳健的载流性能确保逆变器在宽功率范围内稳定输出，支持MPPT的快速精准追踪，保障电站即使在辐照快速变化时也能保持高功率因数与低谐波失真。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流高压驱动电路无缝兼容，简化栅极驱动设计，提升系统集成度与可靠性，加速客户产品开发进程。
TO263封装：高功率密度与卓越散热的融合
采用广泛应用于高功率场景的TO263封装，VBL165R36S在紧凑的占位面积内实现了功率与散热的卓越平衡。其低热阻设计与坚固的封装结构，便于与散热系统高效结合，显著提升模块的功率密度与热管理能力。这使得采用VBL165R36S的逆变器设计，能够在更小的体积内承载更高的功率，或是在相同功率下获得更优的温升表现，为电站的集约化布局与降本增效奠定基础。
精准定位：光伏逆变器功率模块的理想选择
VBL165R36S的设计哲学，完全契合光伏逆变器对高压功率开关的核心诉求：
极致高效，提升电站收益：优异的SJ_Multi-EPI技术带来高压下的低损耗特性，直接降低逆变器工作温度与能量浪费，在全生命周期内有效提升系统发电量与业主投资回报。
坚固耐用，适应严苛环境：高电压规格与稳健的封装技术，确保器件在户外高温、高海拔、温差剧烈等恶劣条件下长期稳定运行，极大增强终端产品的现场适应性与使用寿命。
优化系统，降低总体成本：高性能允许采用更高效的拓扑结构与更紧凑的布局，同时降低对散热系统的依赖，从器件成本、散热成本到运维成本，全方位助力客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专注，驱动能源未来
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于通过前沿技术与深度应用融合，为客户提供价值核心。我们交付的不仅是芯片，更是经过深思熟虑的解决方案。VBL165R36S承载着我们对光伏产业升级的深刻洞察，以及对“让高压能源转换更高效、更可靠”愿景的坚定实践。
选择VBL165R36S，您选择的不仅是一颗性能出众的高压MOSFET，更是一位值得托付的技术盟友。它将成为您的逆变器产品在激烈市场竞争中赢得优势的关键助力，共同推动全球光伏能源向更高效、更智能的未来迈进。
即刻携手，共创高压高效新篇章！
产品型号：VBL165R36S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO263
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：75mΩ（高压低阻）
连续漏极电流（ID）：36A（稳健载流）