在电动汽车普及的浪潮之巅，每一秒充电时间都关乎用户体验。面向直流快充桩的高频开关电源模块，正从“稳定输出”向“高效、高功率密度、高可靠”全面跨越。然而，传统硅基方案中开关损耗大、高温下性能衰退与频率提升瓶颈，如同无形的“效率枷锁”，制约着充电速度与设备寿命。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的宽禁带半导体技术积淀，重磅推出VBP165C30专用SiC MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为极致快充而生的“功率引擎”。
行业之痛：效率、频率与可靠性的三重挑战
在数十至数百千瓦级充电模块中，主功率开关器件的性能直接决定了系统的天花板。工程师们常常面临抉择：
追求高频高效，往往受限于传统器件的开关损耗与热积累。
确保高温可靠性，又可能牺牲功率密度与成本。
高母线电压与频繁启停对器件的耐压与坚固性提出严苛考验。
VBP165C30的问世，正是为了打破这一局限。
VBP165C30：以SiC硬核性能，重塑快充标尺
微碧半导体深谙“材料革新，定义性能”之理，在VBP165C30的每一个参数上都精益求精，旨在释放被束缚的功率：
650V VDS与-10/+20V VGS：为常见400V、800V系统母线电压提供充裕的安全裕度，从容应对高压浪涌与开关尖峰，是系统稳健运行的基石。
革命性的70mΩ导通电阻（RDS(on) @18V）：这是VBP165C30在SiC平台上的性能突破。更低的导通损耗与近乎零的反向恢复特性，意味着在高频开关下，器件自身损耗大幅降低。实测表明，相比同规格硅基MOSFET，VBP165C30可将系统效率提升显著，直接助力整机效率向96%+的巅峰迈进。
30A持续电流能力（ID）：稳健的电流承载力，确保充电模块在恒流恒压充电过程中，即使面对负载剧烈变化，也能保持稳定、高效的功率输出，轻松应对动态负载挑战。
2~5V阈值电压（Vth）：与主流SiC驱动IC完美兼容，提供良好的噪声容限，助力实现简洁可靠的栅极驱动设计，加速产品上市进程。
TO247封装：高功率密度下的散热基石
采用经典TO247封装，VBP165C30在提供优异电气性能的同时，确保了卓越的工程适用性。其坚固的机械结构和优异的导热特性，便于安装散热器，实现高效的热量管理。这意味着，采用VBP165C30的设计，可以在更高的开关频率下运行，从而减小磁性元件体积，为充电模块的高功率密度、小型化与轻量化铺平道路。
精准赋能：高频开关电源模块的理想之选
VBP165C30的设计基因，完全围绕直流快充桩电源模块的核心需求展开：
极致高效，提升充电速度：SiC材料带来的低损耗特性直接降低系统工作温升，允许更高开关频率，提升功率密度，从而缩短充电时间，直接转化为用户更优的充电体验。
坚固可靠，无惧严苛工况：优异的650V耐压与高温工作能力，确保器件在电网波动、高温高湿及连续满载等严苛环境下长期可靠工作，极大提升了充电桩的运营效率与使用寿命。
简化设计，降低系统成本：高频操作允许使用更小的滤波电感与电容，同时降低了对散热系统的要求，从元器件、热管理到整体结构，全方位帮助客户降低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于深度应用理解的解决方案。VBP165C30的背后，是我们对电动汽车充电行业发展趋势的精准把握，以及对“让能源转换更高效、更可靠”使命的不懈追求。
选择VBP165C30，您选择的不仅是一颗性能卓越的SiC MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您快充电源产品在激烈市场竞争中脱颖而出的核心利器，共同为全球绿色出行事业贡献更快速、更智慧的力量。
即刻行动，开启高效快充新纪元！
产品型号：VBP165C30
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247
配置：单N沟道
核心技术：SiC MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：-10 / +20V
阈值电压（Vth）：2~5V
导通电阻（RDS(on) @18V）：70mΩ（低损耗）
连续漏极电流（ID）：30A（稳健载流）