在电动汽车普及浪潮的驱动下，充电桩正成为新型能源基础设施的核心。其内部的功率因数校正（PFC）模块，作为电能高效纯净转换的“守门员”，直接决定了充电效率、电网质量与系统可靠性。然而，传统MOSFET在高压、高频的严苛工况下，面临着导通损耗、开关损耗与热管理的三重挑战，成为提升整机效率与功率密度的关键瓶颈。直面这一核心需求，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的宽禁带技术融合创新，重磅推出VBP165R96SFD专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高压高效PFC电路量身打造的“能量中枢”。
行业之痛：效率、热管理与功率密度的平衡难题
在追求高效率、高功率密度的充电桩PFC模块设计中，工程师们常陷入性能博弈：
追求低损耗与高频化，往往面临器件应力与可靠性的严峻考验。
确保高温下的稳定运行，又可能被迫牺牲效率或增加散热成本。
电网波动及负载切换对高压器件的动态特性与坚固性提出极限要求。
VBP165R96SFD的诞生，旨在打破这一平衡困局。
VBP165R96SFD：以融合技术，树立高压能效新标杆
微碧半导体深刻理解高压应用“细节决定成败”，VBP165R96SFD的每一项参数都致力于突破性能边界：
650V VDS与±30V VGS：为全球通用三相及单相高压输入提供充足的安全余量，从容应对高压浪涌与开关尖峰，奠定系统长期稳定运行的基石。
革命性的19mΩ优异导通电阻（RDS(on) @10V）：结合先进的SJ_Multi-EPI技术，在650V高压下实现极低的导通损耗。这意味着显著降低模块工作温升，提升系统效率，助力充电桩整机效率迈向新高地。
96A强大连续电流能力（ID）：卓越的电流处理能力，确保PFC模块在满载及动态负载下持续稳定输出，满足快速充电的高功率需求，应对瞬时过载游刃有余。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流PFC控制器及驱动电路完美兼容，简化驱动设计，提升方案可靠性，加速产品开发周期。
TO247封装：为高压大功率散热而生
采用专为大功率设计验证的TO247封装，VBP165R96SFD在提供高压绝缘与优异电气性能的同时，具备卓越的散热能力。其封装结构优化了热传导路径，便于搭配散热器实现高效热管理，允许设计在更高功率密度下运行，或使用更精简的散热方案，为充电桩的小型化与高可靠性设计提供坚实保障。
精准赋能：高压PFC模块的理想心脏
VBP165R96SFD的设计哲学，完全聚焦于充电桩PFC模块的严苛要求：
极致高效，提升充电价值：超低的导通与开关损耗直接提升转换效率，减少能量浪费，降低运营成本，为用户带来更快的充电体验与更高的运营收益。
坚固可靠，适应复杂电网环境：优异的高压特性与稳健的封装，确保模块在电网波动、高温高湿及频繁启停的恶劣条件下长期稳定工作，极大延长设备寿命，提升品牌信誉。
简化系统，优化综合成本：高性能允许采用更高频的拓扑设计，减少无源元件体积，同时降低散热需求，从器件、热管理到系统结构，全方位助力客户降低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以技术，驱动绿色交通未来
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于为能源转换提供核心驱动力。我们不仅提供高性能芯片，更提供基于场景深度理解的解决方案。VBP165R96SFD的背后，是我们对电动汽车充电基础设施发展趋势的精准洞察，以及对“让电能转换更高效、更可靠”使命的坚定实践。
选择VBP165R96SFD，您选择的不仅是一颗高压高效的MOSFET，更是一位值得信赖的性能伙伴。它将成为您充电桩PFC模块在激烈市场竞争中赢得优势的关键引擎，共同推动绿色交通向更高效、更智能的未来迈进。
即刻行动，引领高效充电新时代！
产品型号： VBP165R96SFD
品牌： 微碧半导体（VBSEMI）
封装： TO247
配置： 单N沟道
核心技术： SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：19mΩ（优异低阻）
连续漏极电流（ID）：96A（高压载流）