在电动汽车普及的能源变革时代，每一次高效快速的充电体验都至关重要。充电桩中的有源功率因数校正（APFC）电路，作为电网侧电能质量与转换效率的守护者，正面临高效率、高可靠性及紧凑设计的严苛要求。传统MOSFET在高压、高频应用中的开关损耗与导通损耗，已成为系统提升的隐形枷锁。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的功率器件技术平台，隆重推出VBP165R64SFD专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为APFC电路极致效能而打造的“高效引擎”。
行业痛点：效率、散热与功率密度的三重考验
在充电桩APFC等高压前端电路中，主功率开关器件的性能直接决定了整机效率、功率密度与长期可靠性。工程师们常面临严峻平衡：
追求高频高效，往往伴随开关损耗激增与电磁干扰挑战。
致力于高功率密度，必须解决散热设计与成本控制的难题。
确保电网复杂工况下的稳健性，对器件的电压应力与雪崩耐量要求极高。
VBP165R64SFD的诞生，旨在彻底打破这些局限。
VBP165R64SFD：以卓越规格，树立性能标杆
微碧半导体秉持“精工至微”的理念，在VBP165R64SFD的每一项参数上都追求极致，旨在释放每一瓦电能的潜力：
650V VDS与±30V VGS：为全球通用交流输入电压及PFC升压拓扑提供充足的安全余量，从容应对电网浪涌与开关尖峰，奠定系统稳定运行的坚实基础。
领先的36mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：结合SJ_Multi-EPI技术，实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡。显著降低器件通态损耗与发热，助力APFC电路效率突破新高，为整桩高效充电提供源头保障。
64A持续电流能力（ID）：强大的电流处理能力，确保在充电桩满载及动态负载变化时，功率传输连续稳定，满足快充应用对高功率输出的严苛需求。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与业界主流PFC控制器及驱动方案完美兼容，简化驱动电路设计，提升方案可靠性，加速产品开发进程。
TO247封装：为高功率散热而生
采用经典TO247封装，VBP165R64SFD在提供强大电气性能的同时，赋予了卓越的散热能力。其封装结构利于安装大型散热器，优化热传导路径，实现高效的热管理。这使得采用VBP165R64SFD的APFC设计，能够在追求高功率密度的同时，有效控制温升，提升系统长期可靠性，为充电桩的紧凑化与高可靠性设计奠定硬件基石。
精准赋能：充电桩APFC电路的理想选择
VBP165R64SFD的设计初衷，直指充电桩APFC电路的核心诉求：
极致高效，提升电能价值：优异的RDS(on)与开关特性，显著降低电路损耗，提升整桩效率，减少运营成本，直接提升充电站的投资回报。
坚固可靠，适应严苛环境：高耐压与稳健的封装设计，确保在电网波动、高温、连续作业等挑战下长期稳定运行，保障充电基础设施的可用性与寿命。
简化设计，优化系统成本：高性能允许采用更高频率的优化设计，减少无源元件体积，同时降低散热需求，从器件、热管理到系统布局，全方位助力客户降低总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专注，驱动未来
作为功率半导体领域的深耕者，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于以技术创新满足客户需求。我们不仅提供高性能产品，更提供基于场景的解决方案洞察。VBP165R64SFD的背后，承载着我们对电动汽车充电产业发展的深刻理解，以及对“让能源转换更高效、更智能”使命的坚定践行。
选择VBP165R64SFD，您选择的不仅是一颗领先的MOSFET，更是一位强大的技术盟友。它将成为您的充电桩产品在效率与可靠性竞争中致胜的关键，共同推动绿色交通能源补给网络迈向更高效、更可靠的未来。
即刻携手，驱动高效充电新时代！
产品型号：VBP165R64SFD
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：36mΩ（高效低耗）
连续漏极电流（ID）：64A（强劲输出）