在储能系统规模化应用的浪潮之巅，每一分电能存储与释放都关乎系统价值。电池管理系统（BMS）、储能变流器（PCS）及电池包内保护单元，正从“基础监控”向“高效智能管理”跨越。然而，主功率通路上的导通损耗、开关应力与长期可靠性挑战，如同无形的“效率枷锁”，制约着系统的整体性能与成本。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术平台，重磅推出 VBL165R36S 专用 SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为储能电池管理而优化的“能量闸门”。
行业之痛：效率、电压与可靠性的三重挑战
在储能电池管理模块中，负责充放电控制、隔离保护的主功率开关器件，其性能直接决定了系统的安全与效率天花板。工程师们常常面临严峻考验：
追求高电压耐受与低损耗，往往面临器件成本与开关性能的平衡难题。
应对电池组高压串联（如数百伏系统电压）需极高的电压应力裕度。
确保在频繁充放电循环及可能出现的浪涌冲击下长期可靠工作。
VBL165R36S的问世，正是为了攻克这些挑战。
VBL165R36S：以卓越参数，定义性能标杆
微碧半导体深谙高压高可靠性应用之道，在VBL165R36S的每一个参数上都精准设计，旨在释放储能系统的潜能：
650V VDS 与 ±30V VGS：为高达480V乃至更高直流母线电压的电池系统提供充足的安全裕度，从容应对开关尖峰与电网侧浪涌，是系统安全稳健运行的坚固防线。
优化的75mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：在650V高压等级下实现优异的导通特性，有效降低充放电回路中的通态损耗。这意味着更低的器件温升和更高的能量转换效率，直接助力模块整体效率提升与热设计简化。
36A持续电流能力（ID）：满足储能模块中持续大电流通断的需求，确保电池能量在充放电过程中高效、平滑传输，支撑系统稳定输出。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与行业主流驱动电路完美兼容，确保驱动简洁可靠，加速开发进程，降低设计风险。
TO263封装：功率与散热的最佳平衡
采用工业标准TO263（D²Pak）封装，VBL165R36S在紧凑的占位面积内提供了优异的功率处理能力和散热性能。其封装设计便于PCB板贴装和散热器连接，实现高效的热量管理。这使采用VBL165R36S的电池管理模块能够实现更高的功率密度，或在相同尺寸下获得更优的散热余量，为设备的高密度集成与可靠运行奠定基础。
精准赋能：电池管理模块的理想核心开关
VBL165R36S的设计理念，完全围绕储能电池管理系统的严苛要求打造：
高压安全，保障系统基石：650V高击穿电压为高压电池组应用提供可靠保障，显著增强系统应对过压事件的能力，守护核心资产安全。
高效导通，提升整体能效：优化的SJ_Multi-EPI技术结合75mΩ导通电阻，有效减少能量在功率路径上的损耗，提升充放电循环效率，增加可用能量，降低运营成本。
稳健可靠，适应严苛环境：优异的电气规格与坚固的封装，确保器件在频繁开关、温度波动及长期运行的条件下保持稳定，极大延长终端产品的使用寿命与维护周期。
简化设计，优化综合成本：高性能与高可靠性允许设计更简洁、更稳健的拓扑，减少保护元件需求，并从系统层面降低热管理复杂度，全方位帮助客户优化总拥有成本（TCO）。
微碧半导体：以专业，成就伙伴
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户需求为导向，以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片，更提供基于场景深度理解的解决方案。VBL165R36S的背后，是我们对储能行业技术趋势的精准把握，以及对“让电能控制更高效、更安全”使命的不懈追求。
选择VBL165R36S，您选择的不仅是一颗性能优异的MOSFET，更是一位值得信赖的技术伙伴。它将成为您电池管理产品在追求高可靠与高效率市场竞争中的核心优势，共同推动储能系统向更智能、更经济的未来迈进。
即刻行动，开启高效储能新篇章！
产品型号：VBL165R36S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO263
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：75mΩ（高压低阻）
连续漏极电流（ID）：36A（稳健载流）