在智能门锁与安防控制的精密世界，每一次启闭都关乎安全与体验。门锁控制模块正从“机械执行”向“智能静音高效控制”全面演进。然而，传统功率器件存在的开关损耗、空间占用与热累积问题，如同隐形的“体验屏障”，制约着模块的可靠性与能效表现。直面这一核心需求，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的功率半导体技术，匠心推出 VBGQA1101N 专用SGT MOSFET——这不仅是一颗MOSFET，更是为门锁控制精准赋能的“动力核心”。
行业关切：空间、效率与可靠性的三重博弈
在紧凑型门锁控制模块中，主控开关器件的性能直接决定了产品的竞争力。工程师们常常面临严峻挑战：
追求小型化与低功耗，需在导通性能与散热间取得艰难平衡。
确保瞬间大电流驱动的可靠性，对器件坚固性提出苛刻要求。
满足电池供电场景下的高效节能，要求极低的静态与动态损耗。
VBGQA1101N的诞生，正是为了破解这一博弈难题。
VBGQA1101N：以SGT精粹，树立性能典范
微碧半导体秉持“细节决定体验”的理念，在VBGQA1101N的每一项参数上都精雕细琢，旨在释放稳定可靠的控制力：
100V VDS与±20V VGS：为各类门锁电机驱动与电路保护提供宽裕电压余量，从容应对反电动势冲击，保障系统稳定运行基石。
领先的双导阻性能：RDS(on) @10V低至6mΩ，@4.5V仅8mΩ。优异的低电压驱动性能，特别适配电池供电场景，显著降低导通损耗，提升能效，延长续航。
65A持续电流能力（ID）：强大的电流输出能力，确保驱动各类门锁电机时启动有力、运行平稳，无惧瞬间堵转等严苛工况。
2.5V标准阈值电压（Vth）：与主流微控制器驱动电平完美兼容，简化驱动电路设计，助力方案快速落地。
DFN8(5x6)封装：迷你身形下的强大散热与空间哲学
采用先进的DFN8(5x6)紧凑型封装，VBGQA1101N在提供卓越电气性能的同时，实现了极致的空间节省。其底部散热露铜设计，搭配PCB散热焊盘，可高效将热量传导至主板，实现出色的热管理。这使得采用VBGQA1101N的设计，能在极其有限的空间内实现高功率密度与高可靠性，为门锁产品的小型化、轻薄化与高集成度设计开辟新径。
精准赋能：门锁控制模块的理想芯片之选
VBGQA1101N的设计初衷，完全聚焦于智能门锁/安防控制模块的核心诉求：
高效节能，延长续航：超低导通电阻，尤其在低栅压下的优异表现，大幅降低工作损耗与发热，显著提升电池供电设备的续航时间与使用体验。
稳定可靠，守护安全：优异的电气规格与SGT技术带来的坚固性，确保器件在频繁启停、温度变化等场景下长期稳定工作，为安防产品的核心可靠性保驾护航。
精简设计，节省空间：小型化封装与高性能的结合，允许更紧凑的电路布局，减少外围器件需求，帮助客户优化BOM成本，打造更具市场竞争力的产品。
微碧半导体：以专注，助力创新
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终坚持以客户应用为中心，以技术创新为基石。我们不仅提供芯片，更提供契合场景的解决方案。VBGQA1101N的背后，是我们对智能安防与机电控制领域的深刻洞察，以及对“让控制更精准、更高效”理念的持续践行。
选择VBGQA1101N，您选择的不仅是一颗性能出色的MOSFET，更是一位值得信赖的合作伙伴。它将成为您的门锁控制模块在追求卓越性能与可靠品质路上的强大助力，共同开启智能安控高效、静音、可靠的新篇章。
即刻采用，重塑门控动力体验！
产品型号：VBGQA1101N
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5X6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：2.5V
导通电阻（RDS(on) @4.5V）：8mΩ
导通电阻（RDS(on) @10V）：6mΩ（超低损耗）
连续漏极电流（ID）：65A（强劲驱动）