在AI计算加速的时代洪流中，每一焦耳电能都需转化为澎湃算力。服务于AI加速卡与高端算力卡的电源管理外围电路，正从“稳定供电”向“极致高效供电”演进。然而，核心功率开关器件的导通损耗、开关性能与空间占用，如同无形的“算力枷锁”，制约着系统能效与功率密度的飞跃。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的功率器件技术平台，隆重推出 VBGQA1202N 专用SGT MOSFET——这不仅是一颗MOSFET，更是为AI电源系统量身打造的“能量精控引擎”。
行业之痛：效率、密度与可靠性的三重博弈
在AI加速卡等高密度、高动态负载的严苛应用场景中，电源管理芯片外围电路的功率器件性能至关重要。设计者常面临严峻考验：
追求超高转换效率，需克服开关损耗与导通损耗的双重压力。
实现超高功率密度，必须在小封装内承载大电流并管理热耗。
确保系统在负载剧烈波动下的绝对可靠，对器件坚固性提出极限要求。
VBGQA1202N的诞生，旨在打破此多重约束。
VBGQA1202N：以SGT技术，树立性能标杆
微碧半导体秉持“细节决定能效”的理念，对VBGQA1202N的每项参数进行精准优化，旨在释放每一份电能潜力：
200V VDS与±20V VGS：为48V、54V乃至更高输入电压的先进电源架构提供充足耐压余量，稳健应对高频开关下的电压应力，奠定系统可靠基石。
先进的18mΩ低导通电阻（RDS(on) @10V）：得益于SGT（Shielded Gate Trench）技术，在紧凑封装内实现了优异的导通特性。显著降低导通损耗，直接提升电源转换效率，助力AI算力平台能效比提升。
50A持续电流能力（ID）：强大的电流处理能力，确保为GPU、ASIC等计算核心提供瞬态响应快、电压纹波低的纯净电源，满足AI负载突发性、高峰值的供电需求。
3V标准阈值电压（Vth）：与主流电源管理IC及驱动器完美匹配，简化栅极驱动设计，加速方案落地。
DFN8(5x6)封装：迷你尺寸蕴含巨大能量
采用先进的DFN8(5x6)封装，VBGQA1202N在极致紧凑的占板面积下，实现了卓越的电气性能与散热能力的平衡。其底部裸露焊盘设计提供优异的热传导路径，便于将热量高效导出至PCB散热系统。这使采用VBGQA1202N的电源设计，能够在AI加速卡有限的板载空间内，实现更高的功率输出密度与更优的热表现，为设备的小型化与性能升级提供关键支持。
精准赋能：AI加速卡电源管理的理想核心
VBGQA1202N的设计初衷，直指高性能计算电源外围电路的核心诉求：
极致高效，提升算力能效比：优异的RDS(on)与开关特性，有效降低功率损耗，减少能源浪费，直接提升每瓦特电力产生的算力，降低系统运营成本。
高功率密度，释放布局空间：小尺寸封装结合高电流能力，允许设计更紧凑、更高效的电源模块，为AI加速卡的核心计算单元释放宝贵空间。
坚固可靠，保障持续算力：SGT技术带来更优的电气鲁棒性，结合良好的热性能，确保在数据中心级长时间、高负载工作环境下稳定运行，保障AI业务连续性。
简化设计，优化系统成本：卓越的性能有助于简化电源拓扑和滤波设计，降低对散热方案的依赖，从器件、设计到系统层面优化总体成本。
微碧半导体：以专注，驱动创新
作为持续创新的功率半导体品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终聚焦客户挑战，以技术赋能产业。我们提供的不仅是芯片，更是基于场景的解决方案。VBGQA1202N的背后，承载着我们对AI与高性能计算电源趋势的深刻洞察，以及对“让电能转换更智能、更高效”承诺的践行。
选择VBGQA1202N，您选择的不仅是一颗高性能的SGT MOSFET，更是一位助力您突破电源设计瓶颈的可靠伙伴。它将成为您的AI加速卡电源方案在性能竞赛中赢得优势的关键组件，共同推动智能计算迈向更高效、更强大的未来。
即刻集成，引领智能计算能效革命！
产品型号：VBGQA1202N
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5X6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：3V
导通电阻（RDS(on) @10V）：18mΩ（高效低耗）
连续漏极电流（ID）：50A（强劲输出）