在人工智能计算浪潮之巅，每一瓦电力都应转化为有效算力，而非散热耗损。AI加速卡与算力卡，正驱动着智能时代的极限突破。然而，核心散热风扇驱动模块的效能与可靠性，直接关乎算力持续输出的稳定性与设备寿命。传统功率器件在高压、高频驱动中面临的效率折损与温升挑战，如同无形的“算力枷锁”。直面这一核心痛点，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的功率半导体技术，专为AI散热驱动打造VBGQA1254N SGT MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是保障算力冷静澎湃的“驱动引擎”。
行业之痛：高压驱动与空间散热的双重挑战
在高密度算力卡的散热风扇驱动中，功率器件的表现至关重要。工程师常面临严峻考验：
追求高压下的高效驱动，需平衡开关损耗与导通性能。
在极其有限的板载空间内，必须实现卓越的散热管理与长期可靠运行。
风扇启停、PWM调速带来的瞬时电流与电压应力，对器件坚固性提出苛刻要求。
VBGQA1254N的诞生，正是为了打破这一局限。
VBGQA1254N：以SGT技术，定义驱动新标准
微碧半导体深谙高压高效之道，VBGQA1254N的每一项参数都旨在释放稳定驱动力：
250V VDS与±20V VGS：为高压总线与驱动电路提供充足耐压裕度，轻松应对反电动势冲击，确保系统在复杂工况下的稳健运行。
42mΩ优异导通电阻（RDS(on) @10V）：结合SGT（屏蔽栅沟槽）技术，在高压下实现更低导通损耗与更优开关特性。显著降低驱动模块自身发热，提升整体能效，为风扇提供更强力、更精准的驱动控制。
35A持续电流能力（ID）：提供充沛的电流输出能力，确保散热风扇能够快速响应动态负载变化，实现从静音到强冷的无缝切换，保障AI芯片始终处于最佳温度窗口。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与主流驱动电路完美匹配，简化设计，加速开发进程，助力产品快速上市。
DFN8(5x6)封装：迷你身形下的高效散热哲学
采用先进的DFN8(5x6)封装，VBGQA1254N在极致紧凑的空间内实现了优异的电气性能与散热能力。其底部裸露焊盘提供极低热阻，便于将热量高效传导至PCB，实现出色的热管理。这使得采用VBGQA1254N的设计，能在AI加速卡寸土寸金的空间内，构建出高效、可靠的散热驱动解决方案，助力设备实现更高算力密度。
精准赋能：AI散热风扇驱动的理想核心
VBGQA1254N的设计理念，完全契合AI算力卡散热驱动的严苛需求：
高效驱动，提升散热效能：优化的SGT结构与导通电阻，确保更多电能转化为驱动风量，减少模块自身功耗，提升整体散热效率与算力卡能效比。
坚固可靠，保障持续算力：高压高电流能力结合优异封装，确保驱动模块在长期高负荷、频繁调速的严苛环境下稳定工作，为AI算力的不间断输出保驾护航。
节省空间，简化系统设计：小型化封装与高性能表现，允许更紧凑的布局，减少外围元件需求，帮助客户在有限空间内优化设计，降低系统综合成本。
微碧半导体：以专业，驱动智能未来
作为深耕功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终致力于以技术创新解决客户挑战。我们不仅提供芯片，更提供基于场景的解决方案。VBGQA1254N的背后，是我们对AI计算产业散热需求的深刻洞察，以及对“让功率控制更高效、更可靠”使命的践行。
选择VBGQA1254N，您选择的不仅是一颗高压高效的MOSFET，更是一位值得信赖的散热驱动伙伴。它将成为您AI加速卡在激烈算力竞争中保持冷静、稳定输出的关键基石，共同驱动智能时代高效前行。
即刻行动，解锁冷静算力！
产品型号：VBGQA1254N
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：DFN8(5X6)
配置：单N沟道
核心技术：SGT MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：42mΩ
连续漏极电流（ID）：35A