在工业自动化浪潮中，机器人伺服驱动系统正面临更高功率密度与极致能效的双重挑战。作为动力执行的核心，母线电压的高效、精准与可靠转换，直接决定了机器人的动态响应与运行能效。为此，我们重磅推出专为工业机器人中大功率伺服驱动优化的功率MOSFET解决方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBP165R64SFD，以卓越性能助力智能制造迈入新阶段。
极致高效，赋能绿色智造
机器人集群的能耗与运行成本紧密相关，驱动效率的每一次提升都意味着可观的节能效益。VBP165R64SFD凭借其优异的36mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的逆变与功率转换阶段，能显著降低导通损耗，将电能更高效地转化为精准的机械运动。这直接转化为更低的系统温升、更高的整体能效与更优的长期运营成本。
高功率密度，应对紧凑设计
现代伺服驱动器向着更小体积与更大功率持续演进。VBP165R64SFD采用经典的TO247封装，在提供强大功率处理能力的同时，兼顾了优异的散热与机械强度。其单N沟道配置与优化的封装热性能，让驱动设计师能够在有限空间内布局更高电流、更高效率的功率模块，从容应对下一代高性能机器人的严苛要求。
强劲稳健，保障可靠运行
面对伺服驱动频繁启停、过载等复杂工况，VBP165R64SFD展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS） 与 ±30V的栅源电压（VGS），为工业母线应用提供了充裕的安全裕量，确保在电压波动及异常情况下稳定工作。
3.5V的标准阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力。
高达64A的连续漏极电流（ID） 承载能力，足以驾驭伺服系统峰值扭矩与动态负载的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的 SJ_Multi-EPI 技术。该技术通过独特的超结与多外延层结构，在实现低导通电阻和低开关损耗之间取得了最佳平衡。这不仅提升了系统在高频开关下的效率，降低了电磁干扰，也使得驱动系统能够实现更高的控制带宽与动态响应，为机器人的高速高精运动奠定基础。
VBP165R64SFD 关键参数速览
封装： TO247
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 36 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 64A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBP165R64SFD，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的工业机器人伺服驱动系统选择了：
更高的能源转换效率，降低运营成本。
更强劲的功率输出，提升动态性能。
更可靠的系统保障，确保连续生产。
面向未来的技术平台，领先一步。
以尖端功率器件，为工业机器人的澎湃动力，提供最高效、最精准的能源转换。VBP165R64SFD，为您的高性能机器人驱动设计注入强大动能！