在光伏能源高速发展与储能需求日益增长的今天，大功率太阳能计量设备的转换效率与运行可靠性面临严峻考验。作为能量管理与计量的核心，直流高压侧的高效、稳定与可靠开关，直接关系到整个系统的发电收益、计量精度与长期寿命。为此，我们隆重推出专为带储能功能的大功率太阳能计量设备优化的功率MOSFET解决方案——SiC-S MOSFET VBP112MC100-4L，以卓越性能助力光伏系统能效与可靠性同步跃升。
极致高效，赋能绿色收益
太阳能发电系统的每一瓦特能量都弥足珍贵，转换效率的提升直接意味着更高的发电收益与投资回报。VBP112MC100-4L凭借其优异的15mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在关键的DC-DC升压、母线开关或储能双向转换阶段，能显著降低导通损耗，最大化能量传输与利用效率。这直接转化为更低的系统温升、更高的整机效率与更优的全生命周期收益。
高压大功率，应对严苛应用
现代太阳能计量与储能系统向着更高电压、更大功率持续演进。VBP112MC100-4L采用经典的TO247-4L封装，在提供高达1200V漏源电压（VDS） 与 100A连续漏极电流（ID） 处理能力的同时，其开尔文源极（4引脚）设计显著优化了开关性能。其单N沟道配置与出色的封装散热能力，让电源设计师能够从容应对光伏阵列高压输入及储能电池接口的严苛功率切换需求。
坚固可靠，保障长期稳定
面对户外光伏系统的复杂工况与长期运行考验，VBP112MC100-4L展现了全方位的稳健性：
1200V的高耐压（VDS） 与 -10 / +22V的宽栅源电压范围（VGS），为高压直流母线应用提供了充足的安全裕量，确保在雷击浪涌及电压波动下稳定工作。
2~4V的阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与良好的抗干扰能力。
高达100A的连续电流承载能力，足以驾驭系统启动、峰值功率及储能充放电的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的 SiC-S（碳化硅肖特基）技术。该技术结合了碳化硅材料的固有优势，在实现高压、低导通电阻和极优的开关特性之间取得了最佳平衡。这不仅大幅降低了开关损耗，提升了高频工作下的效率，也使得系统可以在更高开关频率下运行，有效缩小无源元件体积，提升功率密度。
VBP112MC100-4L 关键参数速览
封装： TO247-4L
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 1200V
栅源电压（VGS）： -10 / +22V
阈值电压（Vth）： 2~4V
导通电阻（RDS(on)）： 15 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 100A
核心技术： SiC-S
选择VBP112MC100-4L，不仅是选择了一颗高性能的SiC MOSFET，更是为您的大功率太阳能计量与储能系统选择了：
更高的转换效率，提升发电收益。
更强大的高压处理能力，保障系统安全。
更长的使用寿命与可靠性，确保持续稳定运行。
面向未来的碳化硅技术平台，领先一步。
以尖端宽禁带功率器件，为绿色能源的精准计量与高效存储，奠定最可靠、最坚实的电力电子基石。VBP112MC100-4L，为您的下一代太阳能储能计量设计注入强大动能！