在光伏应用蓬勃发展的今天，太阳能系统的能量收集效率与运行可靠性至关重要。作为光能向电能转换的关键节点，充电控制器的高效、稳定与耐用性，直接关系到整个光伏系统的发电收益与长期维保成本。为此，我们隆重推出专为太阳能表及充电控制器电路优化的功率MOSFET解决方案——VBM165R04，以卓越性能助力绿色能源系统效能迈上新台阶。
极致耐压，保障稳定守护
光伏系统工作环境复杂，电池端电压波动范围大。VBM165R04凭借其高达650V的漏源电压（VDS），为12V/24V乃至更高电压系统的充电控制应用提供了充足的安全裕量，确保在反峰、浪涌等严苛条件下稳定可靠关断，有效保护后端电池与负载，最大化系统使用寿命。
高效控制，提升能量收益
充电控制器的开关效率直接影响太阳能板的能量利用率。VBM165R04采用经典的Planar技术，在650V高压下实现了优异的导通特性。其2200mΩ（@Vgs=10V）的导通电阻（RDS(on)），在PWM或MPPT控制电路中能有效降低导通损耗，将更多太阳能高效输送至储能单元，直接转化为更高的系统整体能效与更优的投资回报。
坚固耐用，适应复杂环境
面对户外光伏应用的温差、湿度等挑战，VBM165R04展现了强大的环境适应性：
±30V的栅源电压（VGS）范围，提供了更强的驱动抗干扰能力，确保控制信号精准可靠。
3.5V的标准阈值电压（Vth），平衡了开启特性与抗误触发能力。
TO-220封装提供了优异的散热路径与物理坚固性，结合4A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对系统启停、峰值电流的长期考验，保障控制器在各种环境下的持久运行。
经典技术，铸就可靠基石
内核采用成熟可靠的Planar MOSFET技术。该技术经过长期市场验证，提供了高电压下稳定一致的性能表现，具有优异的耐久性与抗冲击能力。这为太阳能充电控制器带来了高性价比、高可靠性的核心开关解决方案，是追求系统长期稳定运行的理想选择。
VBM165R04 关键参数速览
封装： TO-220
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 2200 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 4A
核心技术： Planar
选择VBM165R04，不仅是选择了一颗高可靠的功率MOSFET，更是为您的太阳能充电控制系统选择了：
更高的电压耐受性，保障系统安全。
更优的电能转换效率，提升发电收益。
更强的环境适应性，确保长久运行。
经久耐用的技术方案，价值之选。
以可靠功率器件，为绿色能源的清洁电力，构建高效、坚固的控制基石。VBM165R04，为您的太阳能表与充电控制器设计注入持久动能！