在光伏与风电迈向平价上网的时代，集中式逆变器的转换效率、功率密度与长期可靠性，直接决定着电站的发电收益与生命周期价值。作为能量转换的核心开关，高压功率器件的性能至关重要。为此，我们隆重推出专为集中式逆变器高压DC-AC转换电路优化的SiC-S MOSFET解决方案——VBP112MC60-4L，以卓越性能助力新能源电站效率与可靠性同步跃升。
极致高效，赋能平价上网
大型电站的度电成本与效率息息相关，功率转换效率的每一点提升，都意味着更低的损耗与更高的发电收益。VBP112MC60-4L凭借其优异的40mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在高压逆变桥臂中能显著降低导通损耗。结合SiC材料固有的低开关损耗特性，它能实现更高的系统效率、更低的散热需求与更优的全生命周期投资回报。
高功率密度，应对紧凑设计
现代集中式逆变器正朝着更高功率等级与更小体积演进。VBP112MC60-4L采用经典的TO247-4L封装，在提供强大功率处理能力的同时，其开尔文源极引脚有效降低了驱动回路寄生电感，提升了开关性能。其单N沟道配置与优异的材料特性，让电源设计师能够在提升功率密度的同时，保持系统的高效与可靠，轻松满足下一代大容量逆变器的严苛要求。
强劲稳健，保障可靠运行
面对电站级应用长达数十年的运行寿命与复杂工况，VBP112MC60-4L展现了全方位的稳健性：
1200V的漏源电压（VDS）为光伏及风电高压直流母线应用提供了充足的安全裕量。
-10V / +22V的栅源电压范围（VGS），确保了驱动的鲁棒性与灵活性。
2~4V的阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力。
高达60A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以驾驭各类电网条件下的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SiC-S（Silicon Carbide - Schottky integrated）技术。该技术通过将SiC MOSFET与肖特基二极管特性优化整合，在实现低导通电阻、低反向恢复电荷（Qrr）与优异开关性能之间取得了最佳平衡。这不仅显著降低了开关损耗，提升了系统频率与效率，也减少了续流过程中的能量损失，为打造更高效率、更高功率密度的集中式逆变器提供了坚实基石。
VBP112MC60-4L 关键参数速览
封装： TO247-4L
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 1200V
栅源电压（VGS）： -10V / +22V
阈值电压（Vth）： 2~4V
导通电阻（RDS(on)）： 40 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 60A
核心技术： SiC-S
选择VBP112MC60-4L，不仅是选择了一颗高性能的SiC-S MOSFET，更是为您的集中式逆变器系统选择了：
更高的转换效率，提升发电收益。
更优的功率密度，降低安装与运维成本。
更长的运行寿命与可靠性，保障电站长期稳定运行。
面向未来的宽禁带技术平台，领先一步。
以尖端碳化硅功率器件，为绿色能源的澎湃电力，奠定最高效、最坚实的转换基石。VBP112MC60-4L，为您的下一代集中式逆变器设计注入强大动能！