在光伏电站迈向平价与高效的关键征程中，每一串组件的能量都值得被极致挖掘。组串式光伏系统，作为大型地面电站与工商业屋顶的效能核心，正从“稳定发电”向“极限降损、智能运维”全面演进。然而，传统硅基器件在高电压、高频应用下的开关损耗与温升挑战，已成为系统效率再攀高峰的隐形枷锁。直面这一高压高效化核心需求，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的宽禁带半导体技术，隆重推出VBP112MC60-4L专用SiC-S MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高压组串系统注入的“高效动能芯”。
行业之困：高压场景下的效率与频率瓶颈
在组串式逆变器、集中式MPPT等高压关键设备中，主功率开关的性能直接决定了系统的转换效率与功率密度。工程师们面临严峻考验：
提升系统效率，需要克服高压下传统器件开关损耗剧增的难题。
提高开关频率以实现设备小型化，却受限于器件本身的性能极限。
高直流电压输入与复杂电网环境对器件的耐压与可靠性提出前所未有的要求。
VBP112MC60-4L的诞生，旨在彻底打破这些局限。
VBP112MC60-4L：以SiC-S硬核性能，重塑高压效率边界
微碧半导体精准把握“材料革新驱动系统进化”的脉搏，为VBP112MC60-4L注入尖端SiC-S技术基因，释放高压系统的无限潜能：
1200V VDS与-10 / +22V VGS：专为光伏组串常见的高压直流母线设计，提供充沛的电压安全裕度，从容应对电网波动与雷击浪涌，是系统长期稳定运行的坚固保障。
领先的40mΩ导通电阻（RDS(on) @18V）：得益于SiC-S材料的优异特性，在1200V高压下仍实现极低的导通损耗。这意味着更低的通态发热与更高的持续输出能力，助力整机效率突破传统瓶颈，迈向更高维度。
60A持续电流能力（ID）：强大的电流处理能力，确保系统在满载及过载工况下稳定运行，支持组串逆变器实现更宽的MPPT范围与更强的过载能力，提升发电收益。
优化的2~4V阈值电压（Vth）：兼顾驱动便利性与抗干扰能力，与高性能驱动方案完美匹配，助力系统实现更高频率与更优的EMI表现。
TO247-4L封装：四引脚设计解锁极致性能
采用先进的TO247-4L封装，VBP112MC60-4L在继承经典封装优异散热与机械性能的同时，通过独立的开尔文源极引脚，显著降低栅极回路寄生电感。这一设计使得开关速度更快，开关损耗进一步降低，同时有效抑制栅极振荡，为系统实现更高频率、更高效率与更高可靠性提供了关键硬件支撑。
精准赋能：组串式光伏系统的战略之选
VBP112MC60-4L的设计理念，完全契合高压组串式光伏系统的演进方向：
极致高效，提升全生命周期收益：超低的开关与导通损耗，显著降低系统温升与散热需求，直接提升系统转换效率，尤其在部分负载下优势更为明显，为电站业主带来更高的发电量与投资回报。
高频运行，助力设备小型化：优异的开关特性支持系统工作频率大幅提升，从而显著减少无源元件（如电感、变压器）的体积与重量，推动逆变器向更高功率密度、更小体积与更轻重量进化，降低运输与安装成本。
坚固可靠，适应严苛电站环境：1200V高耐压与SiC材料固有的高温工作特性，确保器件在户外高温、高海拔、温度剧烈变化等恶劣环境下长期稳定运行，极大提升系统可用度与使用寿命。
微碧半导体：以尖端技术，驱动能源变革
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终站在技术前沿，以客户价值为核心。我们不仅提供先进的SiC-S MOSFET芯片，更提供基于高压高可靠性应用的系统级解决方案。VBP112MC60-4L的背后，承载着我们对光伏产业降本增效趋势的深刻洞察，以及对“以科技创新提升能源转换效率”使命的坚定践行。
选择VBP112MC60-4L，您选择的不仅是一颗领先的SiC-S MOSFET，更是一位致力于共赢的技术伙伴。它将成为您的组串式光伏产品在高端市场竞争中确立优势的核心引擎，共同推动全球光伏产业迈向更高效、更可靠的未来。
即刻行动，携手迈进高压高效新时代！
产品型号：VBP112MC60-4L
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247-4L
配置：单N沟道
核心技术：SiC-S MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：-10 / +22V
阈值电压（Vth）：2~4V
导通电阻（RDS(on) @18V）：40mΩ（高压低阻）
连续漏极电流（ID）：60A（高压载流）