在光伏与风电等可再生能源高速发展的今天，组串式逆变器的功率密度与能量转换效率挑战日益严峻。作为系统电能转换的核心，高压大功率开关器件的高效、稳定与可靠运行，直接关系到整个电站的发电收益与生命周期成本。为此，我们隆重推出专为光伏组串式逆变器优化设计的SiC-S MOSFET解决方案——VBP112MC60-4L，以卓越性能助力新能源电站效率与可靠性迈上新台阶。
极致效率，赋能更高发电收益
光伏电站的长期运营收益与能量转换效率息息相关。VBP112MC60-4L凭借其优异的40mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在关键的DC-AC逆变或升压转换阶段，能显著降低导通损耗，将更多光伏电能高效馈入电网。这直接转化为更高的整机效率、更低的系统发热与更优的度电成本（LCOE），最大化电站全生命周期价值。
高压大功率，应对严苛应用环境
组串式逆变器正朝着更高电压、更大功率方向演进。VBP112MC60-4L采用经典的TO247-4L封装，在提供1200V高压阻断能力的同时，实现了优异的电流承载与散热性能。其单N沟道配置与开尔文源极设计，让电源设计师能够构建更高效率、更高开关频率的功率拓扑，轻松应对复杂工况下对性能与可靠性的严苛要求。
强劲稳健，保障长期可靠运行
面对户外电站的复杂电网环境与温度变化，VBP112MC60-4L展现了全方位的稳健性：
1200V的漏源电压（VDS）为光伏系统提供了充裕的电压安全裕量，确保在电网浪涌等异常情况下稳定工作。
2~4V的阈值电压（Vth），兼顾了驱动的便利性与抗干扰能力。
高达60A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以驾驭各类峰值功率与恶劣环境的严酷考验。
-10V / +22V的宽范围栅源电压（VGS），提供了更灵活的驱动设计空间。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SiC-S（Silicon Carbide - Schottky）技术。该技术结合了碳化硅材料的固有优势，实现了高压下极低的导通损耗与开关损耗，以及优异的反向恢复特性。这不仅显著提升了系统效率，也使得逆变器可以在更高开关频率下运行，进一步减小无源元件的体积与重量，提升功率密度。
VBP112MC60-4L 关键参数速览
封装： TO247-4L
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 1200V
栅源电压（VGS）： -10V / +22V
阈值电压（Vth）： 2~4V
导通电阻（RDS(on)）： 40 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 60A
核心技术： SiC-S
选择VBP112MC60-4L，不仅是选择了一颗高性能的SiC MOSFET，更是为您的光伏组串式逆变器选择了：
更高的转换效率，提升发电收益。
更强大的功率处理能力，适应复杂环境。
更长的系统寿命与可靠性，保障持续运营。
面向未来的碳化硅技术平台，领先一步。
以尖端宽禁带功率器件，为绿色能源的澎湃电力，奠定最高效、最坚实的转换基石。VBP112MC60-4L，为您的下一代光伏与风电逆变器设计注入强大动能！