在低空经济与消费级无人机迅猛发展的今天，飞行器的续航能力、功率密度与系统可靠性成为核心竞争力。作为无人机动力系统的“心脏”，高压电池电源的高效、轻量与稳定转换，直接决定了飞行时长与飞行性能。为此，我们专为小型消费级无人机高压电机驱动与电源管理系统，推出优化功率MOSFET解决方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBQE165R20S，以卓越性能助力每一次起飞都更持久、更强劲。
极致效率，释放更长航时
无人机续航是用户体验的关键。电源转换与电机驱动的效率每提升一步，都意味着更长的飞行时间与更优的能耗表现。VBQE165R20S凭借其优异的160mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的电机驱动或DC-DC升压/降压环节，能显著降低导通损耗，将电池能量高效转化为飞行动力。这直接转化为更少的电池发热、更高的整体能效与更令人满意的单次充电航时。
高功率密度，契合轻巧机身
小型无人机设计追求极致的轻量化与紧凑化。VBQE165R20S采用先进的DFN8X8封装，在提供强大功率处理能力的同时，实现了优异的功率密度。其单N沟道配置与优化的封装热性能，让工程师能在极其有限的空间内，布局高效率、高可靠的功率电路，轻松应对下一代微型化、高性能无人机平台的严苛设计要求。
强劲稳健，保障安全起降
面对空中复杂多变的工作环境，VBQE165R20S展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS）与±30V的栅源电压（VGS），为高压锂电平台应用提供了充足的安全裕量，确保在电压波动等情况下稳定工作。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了良好的驱动兼容性与抗干扰能力。
高达20A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对无人机启动、爬升及机动飞行的峰值电流需求。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SJ_Multi-EPI（超级结多外延）技术。该技术通过独特的电荷平衡与多层外延结构，在实现低导通电阻和低栅极电荷（Qg）之间取得了卓越平衡。这不仅显著降低了开关损耗，提升了高频PWM驱动下的效率，也减轻了控制器的驱动负担，使得电调系统可以在更高频率下安静、高效运行，进一步优化电机响应与整体性能。
VBQE165R20S 关键参数速览
封装： DFN8X8
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 160 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 20A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBQE165R20S，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的无人机动力系统选择了：
更长的飞行续航，提升用户体验。
更紧凑的电路设计，助力机身轻量化。
更可靠的飞行保障，确保安全起降。
面向未来的技术平台，赢在起点。
以尖端功率器件，为低空飞行的无限可能，奠定高效、轻量与可靠的能源基石。VBQE165R20S，为您的下一代小型消费级无人机设计注入持久动能！