在低空经济与先进航空动力的宏大图景中，每一次升空都关乎能量极致的掌控。中大型飞行器的电推进系统，正经历从“传统驱动”向“高功率密度、高可靠驱动”的革命性跨越。然而，高压、高频与严苛工况带来的开关损耗、热累积及系统稳定性挑战，如同无形的“性能枷锁”，制约着飞行器的续航、载荷与安全边界。直面这一核心诉求，微碧半导体（VBSEMI）依托前沿的宽禁带半导体技术，倾力打造 VBQT165C30K 专用SiC MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为高性能航空电驱赋能的“动力核心”。
行业之巅：效率、功率密度与可靠性的三重博弈
在中大型飞行器的主驱逆变器、高功率电源等关键系统中，功率器件的性能直接决定了电推进系统的天花板。工程师面临严峻考验：
- 追求超高效率与频率，需克服传统硅基器件的损耗极限与热管理难题。
- 确保在剧烈电压波动与复杂电磁环境下的绝对可靠，对器件坚固性提出苛刻要求。
- 系统轻量化与紧凑化需求，亟需更高的功率密度解决方案。
VBQT165C30K的问世，正是为了赢得这场博弈。
VBQT165C30K：以SiC硬核性能，重塑电驱标尺
微碧半导体深谙航空级应用“差之毫厘，失之千里”的准则，在VBQT165C30K的每一处设计都追求极致，旨在释放电驱系统的全部潜能：
- 650V VDS与-10 / +20V VGS：为高压母线系统提供充裕的电压裕度，从容应对反电动势及空中复杂工况下的浪涌冲击，奠定系统安全稳健运行的基石。
- 革命性的55mΩ导通电阻（RDS(on) @18V）：得益于先进的SiC技术，实现超低的导通与开关损耗。显著降低器件工作温升与散热需求，助力系统效率突破性提升，为延长续航提供关键支撑。
- 35A持续电流能力（ID）：强大的电流输出能力，确保电驱系统在爬升、巡航等各种飞行姿态下，都能提供平稳、强劲的动力响应，应对瞬时功率需求游刃有余。
- 宽阈值电压范围（Vth:1.5~4.5V）：提供灵活的设计兼容性，便于与多种驱动方案匹配，优化系统设计。
- 采用SiC（碳化硅）技术：具备更高开关频率、更高工作温度与更优的导热性能，是提升功率密度与系统可靠性的关键。
TOLL-HV封装：为高密度与高可靠性飞行而生
采用专为高压高功率密度优化的TOLL-HV封装，VBQT165C30K在紧凑的占位内实现了优异的电气隔离与散热性能。其低寄生电感特性和卓越的热管理能力，非常适合空间受限、散热条件苛刻的航空电驱应用，助力实现设备更轻、更小、更可靠的工程设计目标。
精准赋能：中大型飞行器电驱系统的理想引擎
VBQT165C30K的设计理念，完全围绕先进航空电驱系统的核心需求深度定制：
- 极致高效，拓展续航边界：超低的SiC损耗直接转化为更少的热耗散与更高的系统效率，有效提升能源利用率，直接赋能飞行器更长的航时与航程。
- 坚固可靠，无惧高空挑战：优异的电气规格与SiC材料固有的高温稳定性，确保器件在高空低温、剧烈温变、振动等极端环境下持久稳定运行，极大提升飞行器的出勤率与安全性。
- 高功率密度，助力轻量化设计：高频高效特性允许使用更小的无源元件和散热器，显著提升功率密度，为飞行器减重增载提供关键硬件支持，降低综合系统成本。
微碧半导体：以专业，护航凌云之志
作为深耕功率半导体领域的创新者，微碧半导体（VBSEMI）始终聚焦前沿应用，以技术驱动价值。我们不仅提供芯片，更提供基于对航空动力深刻理解的解决方案。VBQT165C30K的背后，是我们对低空经济与先进航空产业趋势的精准洞察，以及对“让电能转换更高效、更可靠、更紧凑”使命的坚定实践。
选择VBQT165C30K，您选择的不仅是一颗性能卓越的SiC MOSFET，更是一位致力于共同探索天空的可靠伙伴。它将成为您电推进系统在性能竞争中制胜的关键基石，共同推动航空动力迈向更绿色、更智能的未来。
即刻启航，共赴高效动力新纪元！
产品型号：VBQT165C30K
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TOLL-HV
配置：单N沟道
核心技术：SiC MOSFET
关键性能亮点：
- 击穿电压（VDS）：650V
- 栅源电压（VGS）：-10 / +20V
- 阈值电压（Vth）：1.5~4.5V
- 导通电阻（RDS(on) @18V）：55mΩ
- 连续漏极电流（ID）：35A