在低空经济振翅高飞的浪潮之巅，每一次安全起降与高效巡航都至关重要。面向中大型eVTOL飞行器的电推进系统，正从“实现飞行”向“高可靠、高功率密度飞行”跨越。然而，传统功率器件在高压、高频与极端工况下的效率折损、温升挑战与可靠性边界，如同隐形的“性能枷锁”，制约着飞行器的航程与安全。直面这一核心挑战，微碧半导体（VBSEMI）依托先进的宽禁带半导体技术积淀，倾力推出VBP165R47S专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗开关器件，更是为eVTOL澎湃动力而生的“空中电枢”。
行业之痛：功率密度与可靠性的高空博弈
在数百伏高压、数千瓦级功率的电推进电机驱动器中，主功率开关器件的性能直接决定了飞行器的动力天花板。工程师们面临严峻考验：
追求高功率密度与效率，需在高压开关损耗与热管理间取得精妙平衡。
确保飞行级可靠性，必须承受高空温差、振动冲击及持续高负荷运行的严苛验证。
瞬态负载与短路耐受能力，直接关乎飞行安全与系统鲁棒性。
VBP165R47S的诞生，正是为了突破这一极限。
VBP165R47S：以巅峰参数，确立性能标杆
微碧半导体秉持“分毫之功，定鼎高空”的理念，在VBP165R47S的每一处细节都追求极致，旨在释放电推进系统的全部潜能：
650V VDS与±30V VGS：专为400V-600V级航空高压母线平台设计，提供充沛的电压裕度，从容应对反电动势与开关浪涌，奠定系统安全运行的坚实基础。
革命性的50mΩ优异导通电阻（RDS(on) @10V）：结合SJ_Multi-EPI超结多外延技术，在高压下实现极低的导通与开关损耗。这意味着更低的器件温升与更高的转换效率，直接助力电驱系统实现更高的功率密度与更长的续航里程。
47A持续电流能力（ID）：稳健的电流输出能力，确保电机驱动器在起飞、爬升等瞬态大功率需求下，提供持续、稳定的动力输出，应对各种飞行工况挑战。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与航空级驱动电路完美兼容，简化栅极驱动设计，提升系统集成度与可靠性。
TO247封装：为高功率散热而生的坚实载体
采用坚固可靠的TO247封装，VBP165R47S在承载优异电气性能的同时，提供了卓越的散热与机械稳定性。其设计便于与大型散热器或冷板紧密结合，实现高效的热能管理。这使得采用VBP165R47S的推进系统，能在紧凑的空间内处理更大的飞行功率，为eVTOL的轻量化、高冗余度设计提供关键支持。
精准赋能：中大型eVTOL电推进系统的理想基石
VBP165R47S的设计哲学，完全围绕eVTOL高压电推进系统的核心诉求打造：
极致高效，拓展航程边界：优异的RDS(on)与开关特性，显著降低系统损耗，提升能源利用率，直接转化为更长的飞行航时与更优的运营经济性。
坚固可靠，无惧高空严苛环境：高压高电流能力结合稳健封装，确保器件在振动、冲击、宽温域及高海拔环境下稳定工作，满足航空级寿命与可靠性要求。
优化系统，提升功率密度：高性能允许采用更高开关频率与更精简的拓扑，减少无源元件使用，助力电驱系统实现小型化、轻量化，提升飞行器有效载荷。
微碧半导体：以专业，护航低空征程
作为深耕高性能功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终聚焦前沿应用，以技术创新驱动客户成功。我们不仅提供芯片，更提供基于深度场景洞察的解决方案。VBP165R47S的背后，是我们对低空出行电动化趋势的精准把握，以及对“让动力转换更高效、更安全”使命的坚定践行。
选择VBP165R47S，您选择的不仅是一颗性能卓越的MOSFET，更是一位值得信赖的飞行伙伴。它将成为您eVTOL电推进系统在广阔低空天宇中稳健翱翔的核心保障，共同开创绿色、高效的城市空中交通新纪元。
即刻行动，携手腾飞，共绘低空蓝图！
产品型号：VBP165R47S
品牌：微碧半导体（VBSEMI）
封装：TO247
配置：单N沟道
核心技术：SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：50mΩ（高效低耗）
连续漏极电流（ID）：47A（航空级稳健）