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微碧半导体VBP165R64SFD:赋能空中通勤,定义eVTOL高效动力核心
时间:2025-12-09
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在低空经济与城市空中交通的启航时刻,每一份电能都关乎飞行安全与航程极限。面向中大型电动垂直起降飞行器(eVTOL)的严苛需求,动力系统正从“实现升力”向“极致高效、超可靠电驱”演进。然而,传统功率器件在高压、高频下的开关损耗、热累积与可靠性压力,如同隐形的“航程枷锁”,制约着飞行器的性能与商业化未来。直面这一尖端挑战,微碧半导体(VBSEMI)依托先进的宽禁带技术底蕴,倾力推出 VBP165R64SFD 专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗MOSFET,更是为eVTOL高压电驱系统量身锻造的“动力之翼”。
行业之痛:效率、功率密度与可靠性的三重博弈
在数百伏高压母线、数十千瓦级电驱系统及关键DC-DC变换器中,主功率开关的性能直接决定了飞行器的载重、航程与安全边界。工程师面临严峻考验:
追求高功率密度与效率,需应对高压下剧烈的开关应力与热管理难题。
确保航空级可靠性,必须在电气应力、寿命与成本间寻找平衡。
飞行工况中的瞬时负载突变与复杂电磁环境,对器件的动态性能与鲁棒性提出极限要求。
VBP165R64SFD的问世,正是为了打破这一僵局。
VBP165R64SFD:以航空级参数,树立性能标杆
微碧半导体秉持“分毫之功,定鼎安全”的理念,在VBP165R64SFD的每一处细节极致打磨,旨在释放电驱系统的巅峰潜能:
650V VDS 与 ±30V VGS:为400V及以上高压平台提供充足的安全裕度,从容应对反电动势及空中复杂工况下的电压尖峰,是系统安全运行的坚固基石。
革命性的36mΩ优异导通电阻(RDS(on) @10V):结合先进的SJ_Multi-EPI技术,在高压下实现优异的低导通损耗。这不仅显著降低器件温升,更能助力电驱系统效率迈向新高,直接转化为更长的续航里程与更强的有效载荷能力。
64A强劲连续电流能力(ID):提供稳健的电流输送能力,确保电机驱动或电源系统在快速升降、机动飞行等动态过程中,输出平滑且响应迅捷,保障动力输出的精准与可靠。
3.5V标准阈值电压(Vth):与行业主流驱动方案完美兼容,简化栅极驱动设计,提升系统集成度与可靠性,加速飞行器研发与认证进程。
TO247封装:强大功率的可靠载体
采用专为高功率应用优化的TO247封装,VBP165R64SFD在提供卓越电气性能的同时,确保了出色的散热能力与机械强度。其设计便于与高效散热器结合,实现优异的热管理,满足eVTOL对高功率密度与紧凑空间的严苛要求,为动力系统的小型化、轻量化与高可靠性安装提供坚实保障。
精准赋能:中大型eVTOL高压电驱的理想基石
VBP165R64SFD的设计哲学,完全围绕eVTOL动力与电源系统的核心使命展开:
极致高效,拓展航程边界:优异的导通与开关特性,显著降低系统损耗与发热,提升整体能效,直接助力延长飞行时间或增加商载,增强产品核心竞争力。
坚固可靠,无惧空中挑战:高压高可靠性设计,结合稳健的封装,确保器件在振动、温差大、高海拔等复杂航空环境中长期稳定工作,满足航空电子对寿命与失效率的苛刻要求。
优化系统,提升功率密度:高性能允许采用更高效的拓扑与更紧凑的设计,降低对散热系统的依赖,助力实现电驱系统的高功率密度与轻量化,从整体上优化飞行器性能与成本。
微碧半导体:以尖端技术,护航空中梦想
作为功率半导体领域的创新者,微碧半导体(VBSEMI)始终聚焦前沿应用,以技术创新驱动客户成功。我们不仅提供芯片,更提供基于对航空动力深刻理解的解决方案。VBP165R64SFD的背后,是我们对低空经济产业趋势的精准洞察,以及对“让电能转换更高效、更安全”使命的坚定践行。
选择VBP165R64SFD,您选择的不仅是一颗高性能的MOSFET,更是一位致力于共同开拓天空的可靠伙伴。它将成为您eVTOL动力系统在性能与可靠性竞争中决胜的关键,共同推动城市空中交通迈向高效、安全的崭新时代。
即刻启航,共绘低空新篇章!
产品型号:VBP165R64SFD
品牌:微碧半导体(VBSEMI)
封装:TO247
配置:单N沟道
核心技术:SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点:
击穿电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±30V
阈值电压(Vth):3.5V
导通电阻(RDS(on) @10V):36mΩ(优异导通)
连续漏极电流(ID):64A(强劲载流)
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