微碧半导体VBP165R70SFD:定义eVTOL高效动力,领航低空飞行新纪元
时间:2025-12-09
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在低空飞行革命的风口之巅,每一次升空与续航都至关重要。中大型eVTOL飞行器,作为未来城市空中交通的核心载体,正从“概念验证”迈向“安全可靠商业运营”的关键跨越。然而,其高压电推进系统面临的效率、功率密度与极端可靠性挑战,如同隐形的“性能枷锁”,制约着飞行器的载重、航程与安全性。直面这一核心需求,微碧半导体(VBSEMI)凭借先进的功率半导体技术平台,重磅推出VBP165R70SFD专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗功率开关,更是为eVTOL高压心脏注入动力的“效能之翼”。
行业之痛:功率密度与可靠性的极限挑战
在数百伏级电推进系统、高功率密度DC-DC及储能管理单元中,主功率开关的性能直接决定了飞行器的性能天花板。工程师们面临严峻考验:
追求高功率密度与效率,需在高压、大电流下承受严酷的电热应力。
确保航空级可靠性,必须应对高空温差、频繁起降及瞬时负载冲击的极端工况。
系统轻量化要求与散热设计的矛盾日益凸显。
VBP165R70SFD:以航空级参数,树立性能标杆
微碧半导体深谙“差之毫厘,失之千里”的航空准则,在VBP165R70SFD的每一处细节都追求极致,旨在释放电推进系统的全部潜能:
650V VDS与±30V VGS:为400V及以上高压母线系统提供充足的安全裕度,从容应对反电动势及开关浪涌,奠定系统稳健运行的基石。
领先的28mΩ优异导通电阻(RDS(on) @10V):结合SJ_Multi-EPI超结技术,实现高压下极低的导通与开关损耗。显著降低器件温升,助力电驱系统效率迈向新高,为延长航时与提升载重贡献核心力量。
70A持续电流能力(ID):强大的电流输送能力,确保电推进系统在起飞、爬升等峰值功率阶段,能够稳定、高效输出动力,应对瞬态过载游刃有余。
3.5V标准阈值电压(Vth):与行业主流驱动方案完美兼容,简化栅极驱动设计,提升系统集成度与可靠性。
TO247封装:为高功率密度而生的散热艺术
采用坚固可靠的TO247封装,VBP165R70SFD在提供卓越电气性能的同时,专为高散热需求设计。其优化的封装结构与热路径,便于与散热器高效结合,实现出色的热管理。这使得采用VBP165R70SFD的功率单元,能在紧凑空间内处理更高功率,助力eVTOL实现更高的功率密度与更优的重量平衡。
精准赋能:中大型eVTOL动力系统的理想核心
VBP165R70SFD的设计哲学,完全围绕eVTOL高压动力系统的严苛要求打造:
极致高效,提升飞行性能:优异的RDS(on)与开关特性,直接降低系统损耗与温升,提升整体能效,直接转化为更长的续航里程或更高的有效载荷。
坚固可靠,无惧空中挑战:高达650V的耐压、宽VGS范围及稳健的封装,确保器件在振动、温差、高海拔等复杂航空环境下稳定工作,满足飞行器对寿命与安全性的至高要求。
优化系统,助力轻量化:高性能允许采用更精简的拓扑和散热设计,有效降低系统重量与体积,为eVTOL的轻量化设计与综合成本优化提供关键支持。
微碧半导体:以专业,护航空中梦想
作为深耕功率半导体领域的创新者,微碧半导体(VBSEMI)始终聚焦前沿应用,以技术创新驱动客户成功。我们不仅提供芯片,更提供基于深度场景理解的解决方案。VBP165R70SFD的背后,是我们对低空经济与先进空中交通产业的深刻洞察,以及对“让能源转换更高效、更可靠”使命的坚定践行。
选择VBP165R70SFD,您选择的不仅是一颗航空级MOSFET,更是一位值得信赖的飞行伙伴。它将成为您eVTOL动力系统在性能与可靠性竞争中脱颖而出的核心优势,共同推动城市空中交通迈向高效、安全的未来。
即刻行动,携手领航低空飞行新纪元!
产品型号:VBP165R70SFD
品牌:微碧半导体(VBSEMI)
封装:TO247
配置:单N沟道
核心技术:SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点:
击穿电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±30V
阈值电压(Vth):3.5V
导通电阻(RDS(on) @10V):28mΩ(优异损耗)
连续漏极电流(ID):70A(强劲动力)