在低空经济与城市空中交通的浪潮之巅，每一次安全起降与高效巡航都至关重要。面向中大型eVTOL飞行器的电推进系统，正从“实现飞行”向“高可靠、高功率密度飞行”跨越。然而，传统功率器件在高压、高频及严苛工况下的效率损耗、热管理与可靠性挑战，如同隐形的“性能枷锁”，制约着飞行器的续航与安全。直面这一核心需求，微碧半导体（VBSEMI）凭借先进的宽禁带半导体技术积淀，重磅推出VBM165R32S专用SJ_Multi-EPI MOSFET——这不仅是一颗功率开关，更是为eVTOL高压电驱系统而生的“动力之心”。
行业之痛：高压效率与航空级可靠性的双重考验
在eVTOL飞行器的高压母线（如400-600V）电机驱动、DC-DC变换等关键节点，主功率器件的性能直接决定了系统的功率边界与安全天花板。工程师们面临严峻挑战：
追求高压下的高效率，需克服开关损耗与导通损耗的显著增加。
确保航空级的极端可靠性，必须承受高空温差、振动冲击及持续高负荷的严苛考验。
瞬态电压尖峰与高频开关对器件的动态特性及坚固性提出极限要求。
VBM165R32S的问世，正是为了打破这一边界。
VBM165R32S：以航空级参数，定义性能标杆
微碧半导体深谙“差之毫厘，失之千里”的航空准则，在VBM165R32S的每一处设计上都极致求精，旨在释放电推进系统的全部潜能：
650V VDS与±30V VGS：为400V及以上高压平台提供充足的安全裕度，从容应对反电动势及开关浪涌冲击，是系统高压稳健运行的基石。
先进的85mΩ导通电阻（RDS(on) @10V）：结合SJ_Multi-EPI技术，在650V高压下实现优异的低导通损耗。这意味着更低的器件温升与更高的系统效率，直接助力电驱系统在更宽工况下保持高效输出，为延长续航贡献核心价值。
32A持续电流能力（ID）：稳健的电流承载力，确保电机驱动在起飞、爬升等高峰值功率阶段，以及巡航稳态运行时，均能提供平滑、可靠的功率输出，应对空中动态负载游刃有余。
3.5V标准阈值电压（Vth）：与行业主流高压驱动电路完美兼容，简化驱动设计，提升系统集成度与可靠性。
TO220封装：经典形式下的高可靠散热保障
采用历经市场严苛验证的TO220封装，VBM165R32S在提供卓越电气隔离与机械强度的同时，确保了优异的导热路径与散热兼容性。便于与散热器高效结合，实现紧凑空间内的强大热管理能力，满足eVTOL对功率密度与轻量化的双重追求。
精准赋能：中大型eVTOL高压电驱系统的理想基石
VBM165R32S的设计理念，完全围绕eVTOL飞行器电推进系统的核心需求打造：
高压高效，提升续航性能：优异的FOM（品质因数）有效降低系统损耗，提升功率转换效率，直接转化为更长的飞行航时或更高的载荷能力。
极致可靠，无惧空中挑战：高耐压、宽电压范围及稳健的封装，确保器件在高空低温、剧烈振动、连续高功率循环等极端工况下稳定工作，满足航空应用对寿命与可靠性的严苛要求。
优化系统，助力轻量化设计：高性能允许采用更高开关频率，优化滤波元件与散热系统，助力实现电驱系统更高功率密度与更轻重量，为飞行器整体减重增效。
微碧半导体：以专业，护航低空未来
作为深耕先进功率半导体领域的品牌，微碧半导体（VBSEMI）始终聚焦前沿应用，以技术创新驱动客户成功。我们不仅提供芯片，更提供基于深度场景理解的解决方案。VBM165R32S的背后，是我们对城市空中交通产业趋势的精准洞察，以及对“让电能转换更高效、更安全”使命的坚定实践。
选择VBM165R32S，您选择的不仅是一颗高压高性能的MOSFET，更是一位值得信赖的航空级动力伙伴。它将成为您eVTOL电推进系统在迈向商业化、规模化进程中，确保性能领先与安全可靠的坚实基石，共同助力开启高效、绿色的城市空中交通新时代。
即刻行动，携手腾飞，共赴低空新纪元！
产品型号： VBM165R32S
品牌： 微碧半导体（VBSEMI）
封装： TO220
配置： 单N沟道
核心技术： SJ_Multi-EPI MOSFET
关键性能亮点：
击穿电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
阈值电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(on) @10V）：85mΩ（高压低阻）
连续漏极电流（ID）：32A（航空级载流）