微碧半导体VBL165R25SE:赋能低空飞行新纪元,铸就eVTOL高效动力之核
时间:2025-12-09
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在低空经济与城市空中交通的浪潮之巅,每一次安全起飞与高效巡航都至关重要。eVTOL中型飞行器,作为连接未来的关键载体,正从“概念验证”迈向“可靠商用”的跨越。然而,其高压电推进系统面临的功率密度、热管理与可靠性挑战,如同隐形的“性能枷锁”,制约着飞行器的续航与安全。直面这一核心需求,微碧半导体(VBSEMI)凭借先进的功率半导体技术积淀,重磅推出VBL165R25SE专用SJ_Deep-Trench MOSFET——这不仅是一颗开关器件,更是为eVTOL高压动力系统而生的“强力心脏”。
行业之痛:功率密度与可靠性的双重考验
在eVTOL飞行器的电驱逆变器、DC-DC变换器等关键高压单元中,主功率开关器件的性能直接决定了系统的天花板。工程师们常常面临严峻权衡:
追求高功率密度与效率,需应对高压下的开关损耗与热管理难题。
确保极端条件下的绝对可靠,又可能牺牲系统的轻量化与效能。
飞行中的快速负载变化与高压瞬态对器件的稳健性提出极致考验。
VBL165R25SE的问世,正是为了打破这一局限。
VBL165R25SE:以卓越参数,定义性能标杆
微碧半导体深谙高压应用“稳字当头”的法则,在VBL165R25SE的每一个参数上都精雕细琢,旨在释放强劲而稳定的动力:
650V VDS与±30V VGS:为400V、600V及以上高压母线系统提供充足的安全裕度,从容应对反激电压与浪涌冲击,是系统高压稳健运行的坚实基础。
优化的115mΩ导通电阻(RDS(on) @10V):结合SJ_Deep-Trench技术,在高压下实现优异的导通与开关损耗平衡。更低的损耗意味着更少的热量产生,助力提升系统效率与功率密度,为延长续航贡献核心价值。
25A持续电流能力(ID):满足中型飞行器动力系统持续与峰值功率需求,确保电驱系统在复杂飞行工况下,输出平滑、响应迅速的动力。
3.5V标准阈值电压(Vth):与主流高压驱动电路完美兼容,简化系统设计,提升方案可靠性,加速产品开发进程。
TO263封装:高功率密度下的可靠散热之选
采用适用于高密度安装的TO263封装,VBL165R25SE在紧凑空间内提供了优异的电气性能与散热能力。其设计便于PCB板贴装与散热管理,有助于实现轻量化、高集成的电控系统设计。这意味着采用VBL165R25SE,可以在严格的体积与重量限制下,构建出更高效、更可靠的动力转换单元。
精准赋能:eVTOL中型飞行器高压系统的理想之选
VBL165R25SE的设计基因,完全围绕eVTOL高压动力系统的核心诉求展开:
高效动力,提升续航性能:优化的RDS(on)与开关特性,降低系统工作损耗,直接贡献于更高的能量利用效率与更长的潜在续航里程。
坚固可靠,无惧高空挑战:高达650V的击穿电压与稳健的封装工艺,确保器件在高压、振动、温差变化等航空级严苛环境下稳定工作,为飞行安全提供底层硬件保障。
助力集成,优化系统成本:高性能与紧凑封装有助于简化拓扑、减少器件数量并减轻散热负担,从元器件、系统集成到全生命周期维护,全方位助力客户优化总拥有成本(TCO)。
微碧半导体:以专业,护航未来出行
作为深耕功率半导体领域的品牌,微碧半导体(VBSEMI)始终坚持以客户需求为导向,以技术创新为驱动。我们不仅提供芯片,更提供基于深度场景理解的解决方案。VBL165R25SE的背后,是我们对低空经济与先进空中交通产业趋势的精准把握,以及对“让电能转换更高效、更可靠”使命的不懈追求。
选择VBL165R25SE,您选择的不仅是一颗高压性能优异的MOSFET,更是一位值得信赖的飞行伙伴。它将成为您eVTOL动力系统在迈向商业化竞争中脱颖而出的关键基石,共同为全球城市空中交通事业贡献更强大、更智慧的动力。
即刻行动,携手腾飞,共赴低空新蓝海!
产品型号:VBL165R25SE
品牌:微碧半导体(VBSEMI)
封装:TO263
配置:单N沟道
核心技术:SJ_Deep-Trench MOSFET
关键性能亮点:
击穿电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±30V
阈值电压(Vth):3.5V
导通电阻(RDS(on) @10V):115mΩ(高压优化)
连续漏极电流(ID):25A(稳健载流)