在低空经济与先进空中交通迅猛发展的今天，eVTOL等中大型飞行器的动力系统对功率密度、效率与可靠性提出了前所未有的严苛要求。作为高压动力总成的电能转换基石，650V级功率开关的高效、稳健与安全，直接决定了飞行器的性能极限、航程与安全等级。为此，我们倾力推出专为航空电推进系统优化的功率MOSFET解决方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBP165R70SFD，以卓越的航空级性能，助力飞行器能效与可靠性全面跃升。
极致效率，赋能超长航程
飞行器的每一瓦特电能都弥足珍贵，动力系统的转换效率直接关乎航程与有效载荷。VBP165R70SFD凭借其优异的28mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在主逆变器、DC-DC升压等关键高压转换环节，能显著降低导通损耗，将电池能量高效转化为强劲的推进动力。这直接转化为更长的续航里程、更优的整机能效与更具竞争力的运营经济性。
高功率密度，应对紧凑布局
航空器对重量与体积有着极致的追求。VBP165R70SFD采用经典的TO247封装，在提供强大功率处理能力的同时，兼顾了优异的散热与机械可靠性。其单N沟道配置与优化的多外延技术，让电驱设计师能够在严格的重量与空间约束下，实现更高功率、更高效率的动力单元集成，轻松满足下一代eVTOL的紧凑化、模块化设计要求。
强劲稳健，守护飞行安全
面对高空、振动及复杂的飞行工况，VBP165R70SFD展现了全方位的航空级稳健性：
650V的高漏源电压（VDS）与 ±30V的栅源电压（VGS），为高压母线应用提供了充足的安全裕量，确保在浪涌及恶劣电气环境下稳定工作。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了驱动的可靠性及抗干扰能力。
高达70A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对飞行器启动、爬升及峰值功率输出的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SJ_Multi-EPI技术。该技术通过结合超级结与多外延层的优势，在实现低导通电阻、低栅极电荷（Qg）与优异开关特性之间取得了最佳平衡。这不仅显著降低了开关损耗，提升了高频下的转换效率，也优化了电磁兼容性（EMC）表现，使得系统工作更稳定、更安静，为安全飞行奠定坚实的电气基础。
VBP165R70SFD 关键参数速览
封装： TO247
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 28 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 70A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBP165R70SFD，不仅是选择了一颗高性能的航空级功率MOSFET，更是为您的eVTOL动力系统选择了：
更长的飞行航程，提升运营效能。
更紧凑的动力设计，优化整机布局。
更可靠的系统保障，守护绝对安全。
面向未来的技术平台，领航低空经济。
以尖端航空功率器件，为低空飞行的澎湃动力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBP165R70SFD，为您的新一代eVTOL设计注入腾飞动能！