在低空经济与电动垂直起降飞行器（eVTOL）迅猛发展的今天，飞行器电驱系统的功率密度、效率与可靠性面临前所未有的严苛挑战。作为高压动力总成的核心，高效、稳健的功率转换直接决定了飞行器的续航、性能与安全。为此，我们隆重推出专为eVTOL等中大型飞行器高压电驱系统优化的功率MOSFET解决方案——VBP165R64SFD，以卓越性能助力飞行器能效与可靠性全面跃升。
极致高效，赋能长续航飞行
eVTOL的每一次起降与巡航，都对能源效率极为敏感。VBP165R64SFD凭借其优异的36mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在主逆变器、DC-DC转换等关键高压功率级，能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为推进动力。这直接转化为更长的续航里程、更低的系统温升与更优的整体能效，为绿色航空奠定坚实基础。
高功率密度，应对紧凑严苛布局
飞行器对重量与空间的要求极为苛刻。VBP165R64SFD采用经典的TO247封装，在提供强大功率处理能力的同时，兼具优异的散热性能与机械可靠性。其单N沟道配置与优化的封装设计，让电驱系统工程师能够在有限的机载空间内，实现更高功率、更高效率的动力单元布局，轻松应对下一代飞行器的集成化挑战。
强劲稳健，保障绝对飞行安全
面对高空复杂电磁环境与飞行工况，VBP165R64SFD展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS）与±30V的栅源电压（VGS），为高压母线应用提供了充裕的安全裕量，确保在浪涌及恶劣条件下稳定工作。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了驱动的可靠性及抗干扰能力。
高达64A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对飞行器启动、爬升及峰值功率的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SJ_Multi-EPI（超级结多层外延）技术。该技术通过精密的电荷平衡与多层外延结构，在实现低导通电阻与低开关损耗之间取得了最佳平衡。这不仅提升了系统在高压高频下的工作效率，也降低了电磁干扰，使得电驱系统运行更平稳、更安静，满足航空级应用对性能与可靠性的极致追求。
VBP165R64SFD 关键参数速览
封装： TO247
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 36 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 64A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBP165R64SFD，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的飞行器电驱系统选择了：
更高的能源效率，延长飞行续航。
更稳健的功率处理，保障飞行安全。
更紧凑的动力设计，优化飞行器布局。
面向未来的航空级技术平台，领先一步。
以尖端功率器件，为低空飞行的澎湃动力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBP165R64SFD，为您的新一代eVTOL与电动飞行器设计注入强大动能！