在低空经济与城市空中交通蓬勃发展的今天，eVTOL等中大型飞行器对电驱系统的功率密度、效率与可靠性提出了前所未有的严苛要求。作为电驱动力的核心，高压母线的高效、稳定与可靠转换，直接关系到飞行器的性能、航程与安全。为此，我们隆重推出专为飞行器高压电驱系统优化的功率MOSFET解决方案——VBP165R47S，以卓越性能助力空中交通迈向高效新纪元。
极致效率，赋能更长航程
飞行器的每一瓦特电能都至关重要，电驱转换效率的提升直接转化为更长的续航里程与更低的运营成本。VBP165R47S凭借其优异的50mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的主逆变或DC-DC转换环节，能显著降低导通损耗，将更多电池能量高效转化为推进动力。这直接意味着更优的能效比、更少的能量浪费与更具竞争力的飞行经济性。
高耐压与功率，应对高空严苛环境
飞行器电驱系统需应对高压、高可靠性及宽温度变化挑战。VBP165R47S采用坚固的TO247封装，提供强大的功率处理与散热能力。其650V的高漏源电压（VDS）为400V及以上高压母线应用提供了充足的安全裕度，确保在复杂工况与高空环境下稳定运行。高达47A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以满足中大型飞行器起飞、爬升等峰值功率的严酷需求。
强劲稳健，守护飞行安全
面对飞行器多变的工作状态与高可靠性要求，VBP165R47S展现了全方位的稳健性：
±30V的栅源电压（VGS）范围，增强了驱动电路的抗干扰能力与可靠性。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了良好的驱动兼容性与开关可控性。
优异的参数一致性，为多管并联应用提供保障，满足大功率动力系统的扩展需求。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SJ_Multi-EPI（超级结多层外延）技术。该技术通过精密的电荷平衡与多层外延结构，在实现高耐压、低导通电阻和优异开关特性之间取得了最佳平衡。这不仅有效降低了开关损耗，提升了系统在高频下的工作效率，也优化了EMI表现，为电驱系统的高功率密度与高可靠性设计奠定了坚实基础。
VBP165R47S 关键参数速览
封装： TO247
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 50 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 47A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBP165R47S，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的飞行器电驱系统选择了：
更高的能量转换效率，拓展飞行边界。
更强大的功率输出与可靠性，保障飞行安全。
更稳健的电驱平台，应对高空复杂环境。
面向未来空中交通的技术基石，赢在起点。
以尖端功率器件，为低空飞行的绿色动力，奠定高效、安全、可靠的能源基石。VBP165R47S，为您的中大型飞行器设计注入腾飞动能！