在低空经济与电动垂直起降飞行器（eVTOL）迅猛发展的今天，飞行器动力系统的功率密度与可靠性的挑战日益严峻。作为高压电驱动力的核心，650V级主功率回路的高效、稳定与可靠转换，直接关系到整机的飞行性能、续航里程与安全运营。为此，我们隆重推出专为中大型电动飞行器高压电驱系统优化的功率MOSFET解决方案——SJ_Multi-EPI MOSFET VBM165R32S，以卓越性能助力空中交通能效与可靠性跃升新台阶。
极致效率，赋能长续航飞行
电动飞行器的续航能力至关重要，电驱系统效率每提升一分，都意味着更长的航程与更优的经济性。VBM165R32S凭借其优异的85mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在关键的高压逆变与DC-DC转换阶段，能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为推进动力。这直接转化为更低的系统温升、更高的整体能效与更出色的续航表现。
高可靠性设计，应对空中严苛环境
航空级应用对器件的稳健性要求极高。VBM165R32S展现了全方位的飞行级稳健性：
650V的漏源电压（VDS） 与 ±30V的栅源电压（VGS），为高压母线应用提供了充裕的安全裕量，确保在复杂工况及瞬态冲击下稳定工作。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了驱动的可靠性与抗干扰能力。
高达32A的连续漏极电流（ID） 承载能力，满足飞行器启动、爬升及峰值功率输出的严苛需求。
强劲稳健，保障安全飞行
面对空中飞行的振动、温度变化及电磁复杂环境，VBM165R32S采用坚固的TO220封装，提供强大的功率处理能力与优异的散热特性，让电驱设计师能够构建出既紧凑又高可靠的功率单元，从容应对eVTOL等飞行器对动力系统的高标准要求。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的 SJ_Multi-EPI（超级结-多外延）技术。该技术通过精密的电荷平衡与多层外延结构，在实现低导通电阻和低开关损耗之间取得了最佳平衡。这不仅提升了系统效率，优化了热管理，也支持更高频率的开关运行，有助于减小滤波与磁性元件的体积与重量，为飞行器轻量化做出贡献。
VBM165R32S 关键参数速览
封装： TO220
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 85 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 32A
核心技术： SJ_Multi-EPI
选择VBM165R32S，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的电动飞行器动力系统选择了：
更高的电驱效率，提升续航与经济性。
更稳健的空中表现，保障飞行安全。
更紧凑的功率单元设计，助力轻量化布局。
面向未来的航空级技术平台，领航低空通航。
以尖端功率器件，为电动飞行的澎湃动力，奠定最高效、最可靠的能源基石。VBM165R32S，为您的新一代eVTOL及电动飞行器设计注入强劲升力！