在低空经济与电动垂直起降飞行器（eVTOL）迅猛发展的今天，飞行器电驱系统的功率密度、效率与可靠性面临前所未有的挑战。作为高压动力总成的核心，高效、稳健的功率转换直接决定了飞行器的续航、性能与安全。为此，我们隆重推出专为eVTOL等中大型飞行器高压电驱系统优化的功率MOSFET解决方案——VBL165R25SE，以卓越性能助力飞行器能效与可靠性跃升新台阶。
极致效率，赋能长续航飞行
飞行器对重量与能耗极度敏感，电驱系统效率每提升一分，都直接转化为更长的航程与更优的经济性。VBL165R25SE凭借其优异的115mΩ（@Vgs=10V）导通电阻（RDS(on)），在主逆变器或DC-DC转换等关键高压环节，能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为飞行动力。这直接意味着更低的系统热耗散、更高的整体能效与更出色的续航表现。
高耐压与功率密度，应对严苛航空环境
现代飞行器电驱系统向高压化、高密度化持续演进。VBL165R25SE采用坚固的TO263封装，在提供强大功率处理能力的同时，确保了优异的机械与热可靠性。其650V的高漏源电压（VDS）为400V及以上高压母线应用提供了充足的安全裕度，轻松应对空中复杂的电压波动与浪涌冲击，满足紧凑且高可靠的航空级设计需求。
强劲稳健，守护飞行安全
面对高空飞行中的极端工况与高可靠性要求，VBL165R25SE展现了全方位的稳健性：
650V的高漏源电压（VDS）与±30V的栅源电压（VGS），为高压电驱系统构筑了坚固的安全屏障。
3.5V的标准阈值电压（Vth），确保了驱动的稳健性与抗干扰能力。
高达25A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对飞行器起飞、爬升等峰值功率阶段的严酷考验。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用创新的SJ_Deep-Trench（超结深沟槽）技术。该技术通过独特的电荷平衡与深沟槽结构，在实现高耐压与低导通电阻之间取得了卓越平衡。这不仅大幅降低了开关损耗，提升了高频下的工作效率，也使得系统能在更高的功率密度下稳定运行，为飞行器电驱系统的轻量化与小型化奠定基础。
VBL165R25SE 关键参数速览
封装： TO263
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： ±30V
阈值电压（Vth）： 3.5V
导通电阻（RDS(on)）： 115mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 25A
核心技术： SJ_Deep-Trench
选择VBL165R25SE，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的飞行器电驱系统选择了：
更高的能源效率，提升续航与运营经济性。
更高的电压耐受性与可靠性，保障飞行安全。
更优化的功率密度，助力系统轻量化设计。
面向未来的航空电驱技术平台，赢得领先优势。
以尖端功率器件，为低空飞行的电动化未来，奠定高效、安全、可靠的动力基石。VBL165R25SE，为您的中大型飞行器设计注入腾飞动能！