在低空飞行与电动垂直起降（eVTOL）产业迅猛发展的今天，飞行器的功率密度与能源效率挑战日益严峻。作为电推进系统的核心，高压动力总线的高效、可靠转换，直接关系到飞行器的性能、航程与运营安全。为此，我们隆重推出专为中大型电动飞行器高压DC-DC及电机驱动电路优化的SiC MOSFET解决方案——VBQT165C30K，以卓越性能助力电动航空能效跃升新台阶。
极致效率，赋能长续航飞行
电动飞行器的续航与能耗至关重要，动力转换效率每提升一步，都意味着更远的航程与更低的运营成本。VBQT165C30K凭借其优异的55mΩ（@Vgs=18V）导通电阻（RDS(on)），在关键的高压逆变与DC-DC转换阶段，能显著降低导通损耗，将更多电能高效输送至推进电机。这直接转化为更优的能源利用率、更长的滞空时间与更具竞争力的运营经济性。
高功率密度，应对严苛空间限制
航空级电气系统对功率密度与重量有着极致要求。VBQT165C30K采用先进的TOLL-HV封装，在提供卓越功率处理能力的同时，实现了优异的散热性能与紧凑体积。其单N沟道配置与优化的封装设计，让工程师能够在严格的重量与空间预算内，构建更高效率、更高可靠性的高压功率模块，轻松满足下一代电动飞行器的苛刻标准。
强劲稳健，保障绝对安全
面对高空飞行的复杂工况与严苛环境，VBQT165C30K展现了全方位的稳健性：
650V的漏源电压（VDS）为400-800V级航空高压母线应用提供了充足的安全裕量，确保在浪涌及瞬态条件下稳定工作。
-10V / +20V的栅源电压（VGS）范围与1.5V~4.5V的阈值电压（Vth），确保了驱动的鲁棒性与抗干扰能力。
高达35A的连续漏极电流（ID）承载能力，足以应对飞行器启动、爬升及机动过程中的峰值功率需求。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用第三代碳化硅（SiC）技术。该材料技术凭借其宽带隙特性，实现了更低的导通损耗、更高的开关频率与优异的高温工作能力。这不仅显著降低了系统总损耗，提升了功率密度，也使得电驱系统可以在更高效率区间运行，同时减少散热负担，为飞行器轻量化与高可靠性奠定基础。
VBQT165C30K 关键参数速览
封装： TOLL-HV
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 650V
栅源电压（VGS）： -10V / +20V
阈值电压（Vth）： 1.5V ~ 4.5V
导通电阻（RDS(on)）： 55 mΩ @ Vgs=18V
连续漏极电流（ID）： 35A
核心技术： SiC
选择VBQT165C30K，不仅是选择了一颗高性能的SiC MOSFET，更是为您的电动飞行器动力系统选择了：
更高的能源效率，拓展飞行边界。
更紧凑轻量的电驱设计，提升有效载荷。
更可靠的空中保障，守护飞行安全。
面向未来的电动航空技术平台，领先一步。
以尖端碳化硅功率器件，为电动航空的澎湃动力，奠定最高效、最坚实的能源基石。VBQT165C30K，为您的新一代eVTOL及电动飞行器设计注入强大动能！