在人工智能眼镜迅猛发展的今天，设备的感知灵敏度与功耗控制挑战日益突出。作为传感器供电的核心，负载开关的高效、快速与可靠控制，直接关系到整个系统的响应速度与续航体验。为此，我们隆重推出专为AI眼镜传感器负载开关电路优化的功率MOSFET解决方案——MOS-VBQA1401，以卓越性能助力智能穿戴能效与可靠性同步跃升。
精准控制，赋能持久感知
AI眼镜的续航至关重要，传感器电路的每一分功耗节约，都意味着更长的使用时间与更佳的用户体验。MOS-VBQA1401凭借其优异的导通电阻特性（1.2mΩ @ Vgs=4.5V，0.8mΩ @ Vgs=10V），在关键的传感器电源路径控制中，能显著降低导通压降与功耗，将更多电能高效用于视觉计算与感知。这直接转化为更低的电路损耗、更高的系统效率与更优的整体续航。
紧凑高效，应对微型化设计
智能眼镜内部空间极其珍贵。MOS-VBQA1401采用先进的DFN8(5x6)封装，在提供强大电流开关能力的同时，实现了极致的占板面积。其单N沟道配置与优化的封装，让硬件工程师能够在紧凑空间内实现高可靠、低损耗的负载开关设计，轻松应对下一代AI眼镜的微型化严苛要求。
强劲稳健，保障可靠运行
面对穿戴设备复杂多变的工作状态，MOS-VBQA1401展现了全方位的稳健性：
40V的漏源电压（VDS） 与 ±20V的栅源电压（VGS），为低电压传感器供电应用提供了充裕的安全裕量。
3V的标准阈值电压（Vth），确保了良好的驱动兼容性与控制可靠性。
高达100A的连续漏极电流（ID） 承载能力，足以应对传感器模块启动及峰值工作的电流需求。
先进技术，铸就卓越性能
内核采用成熟的Trench技术。该技术通过优化的沟槽结构，在实现低导通电阻和快速开关特性之间取得了良好平衡。这不仅降低了开关损耗，提升了控制响应速度，也确保了传感器供电通路的纯净与稳定。
MOS-VBQA1401 关键参数速览
封装： DFN8 (5mm x 6mm)
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 40V
栅源电压（VGS）： ±20V
阈值电压（Vth）： 3V
导通电阻（RDS(on)）： 1.2 mΩ @ Vgs=4.5V / 0.8 mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流（ID）： 100A
核心技术： Trench
选择MOS-VBQA1401，不仅是选择了一颗高性能的负载开关MOSFET，更是为您的AI眼镜传感器系统选择了：
更高的能源效率，延长设备续航。
更紧凑的电路布局，释放宝贵空间。
更可靠的开关控制，确保感知无间断。
面向微型化的技术支撑，领先一步。
以精密功率器件，为人工智能眼镜的敏锐感知，奠定最高效、最可靠的供电基石。MOS-VBQA1401，为您的下一代AI眼镜设计注入精准动能！