在人工智能计算迈向极致的道路上，服务器电源的同步整流效率直接决定了能源到算力的转化质量。面对高功率密度与严苛能效的双重挑战，同步整流模块需要更强大、更精准的功率开关核心。为此，我们重磅推出专为AI服务器电源同步整流模块优化的功率MOSFET解决方案——MOS-VBL1803，以卓越性能赋能电源系统效能全面跃升。
极致低耗，解锁能效巅峰
同步整流环节的每一点损耗削减，都直接转化为系统整体效率的提升。MOS-VBL1803凭借其领先的低导通电阻特性——低至5mΩ（@Vgs=10V），在高压侧同步整流应用中能显著降低导通损耗，最大化能量传输效率。这不仅助力电源轻松达到钛金级能效标准，更直接降低了数据中心运营成本与碳足迹。
高压稳健，应对严苛工况
AI服务器电源环境复杂多变，对器件可靠性要求极高。MOS-VBL1803具备80V的漏源电压（VDS） 与 ±20V的栅源电压（VGS），为同步整流应用提供了充足的安全余量与设计灵活性。其3V的标准阈值电压（Vth），确保了驱动的可靠性与抗干扰性，保障系统在各类动态负载下稳定运行。
强大载流，支撑澎湃功率
面对服务器瞬间峰值电流的冲击，MOS-VBL1803展现了强大的功率处理能力。高达215A的连续漏极电流（ID） 承载能力，足以轻松驾驭AI服务器电源的严酷负载要求，为GPU、CPU等核心计算单元的稳定供电提供坚实保障。
先进沟槽，铸就性能基石
内核采用成熟的Trench技术，在导通电阻、栅极电荷与开关速度之间实现了优异平衡。这不仅有效降低了开关损耗，提升了高频工作下的效率，也使得系统设计能够朝向更高功率密度与更优动态响应迈进。
MOS-VBL1803 关键参数速览
封装： TO263
配置： Single N-Channel
漏源电压（VDS）： 80V
栅源电压（VGS）： ±20V
阈值电压（Vth）： 3V
导通电阻（RDS(on)）： 5 mΩ @ Vgs=10V | 10 mΩ @ Vgs=4.5V
连续漏极电流（ID）： 215A
核心技术： Trench
选择MOS-VBL1803，不仅是选择了一颗高性能的同步整流专用MOSFET，更是为您的AI服务器电源系统选择了：
更高的转换效率，直击能效核心。
更稳健的运行保障，应对复杂工况。
更强大的功率处理，支撑算力爆发。
成熟可靠的技术平台，助力设计成功。
以专业功率器件，为人工智能的无限算力，打造高效、可靠的能源转换核心。MOS-VBL1803，为您的高性能AI服务器电源注入决定性的整流力量！